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产品简介:
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安森美半导体(ON Semiconductor)的NTP30N06LG是一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于各种电源管理和功率控制场景。该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压(60V)和大电流承载能力(30A),适用于需要高效能和高可靠性的电路设计。 其典型应用场景包括: 1. 电源转换器:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源(SMPS)等,用于提高转换效率并减小体积。 2. 电机控制:用于无刷直流电机、步进电机等驱动电路中,实现高效开关控制。 3. 负载开关:作为高边或低边开关,用于控制电源对负载的供电,如工业控制设备、自动化系统等。 4. 电池管理系统(BMS):用于电池充放电管理、保护电路中的开关元件。 5. 汽车电子:如车载充电器、LED照明驱动、起停系统等对可靠性要求较高的场景。 6. 工业自动化与电机驱动:如变频器、伺服驱动器、PLC系统中的功率开关。 该MOSFET采用TO-220封装,易于散热和安装,适合在中高功率应用中使用。其低栅极电荷(Qg)特性也有助于降低开关损耗,提高系统效率。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NTP30N06LG |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1150pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 32nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 46 毫欧 @ 15A,5V |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | NTP30N06LGOS |
功率-最大值 | 88.2W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 30A (Ta) |