Datasheet下载- 型号： STL110N10F7
- 制造商： STMicroelectronics
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STL110N10F7由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STL110N10F7价格参考。STMicroelectronicsSTL110N10F7封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STL110N10F7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STL110N10F7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STL110N10F7是一款N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的热稳定性。该器件广泛应用于需要高效功率管理与开关控制的场景，主要包括以下几个方面： 1. 电源管理系统：适用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等电路，提升能源利用效率，降低损耗。 2. 电机驱动：用于工业自动化设备、电动工具及机器人中的电机控制模块，提供快速开关响应和稳定输出。 3. 汽车电子：作为车载充电系统、电池管理系统（BMS）或车身控制模块中的关键开关元件，满足车规级可靠性要求。 4. 消费类电子产品：如笔记本电脑、游戏机、智能家电等设备中的电源适配器或内部电源分配系统中。 5. 工业控制与自动化：用于PLC、伺服驱动器、变频器等设备中的功率开关或隔离控制部分。 6. 新能源领域：在太阳能逆变器、储能系统和电动车充电桩等应用中，实现高效的电能转换与控制。 总之，STL110N10F7凭借其高性能参数和稳定表现，适合多种高频率、高效率需求的功率应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 21A PWRFLAT5X6MOSFET N-CH 100V 0.005Ohm 21A STripFET VII |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 21 A |
| Id-连续漏极电流 | 21 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STL110N10F7DeepGATE™， STripFET™ VII |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STL110N10F7 |
| Pd-PowerDissipation | 5 W |
| Pd-功率耗散 | 5 W |
| Qg-GateCharge | 60 nC |
| Qg-栅极电荷 | 60 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V to 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V to 4 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5117pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 72nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerFlat™（5x6） |
| 其它名称 | 497-13877-1 |
| 功率-最大值 | 136W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 封装/箱体 | PowerFLAT-8 5x6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 107A （Tc） |
| 系列 | STL110N10F7 |
| 配置 | Dual Dual Source |
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