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  • 型号: FDMS9620S
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDMS9620S由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMS9620S价格参考。Fairchild SemiconductorFDMS9620S封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 30V 7.5A,10A 1W 表面贴装 8-MLP (5x6), Power56。您可以下载FDMS9620S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMS9620S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET 2N-CH 30V 7.5A/10A PWR56MOSFET 30V Dual N-Ch PowerTrenchAr MOSFET

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

7.5 A

Id-连续漏极电流

7.5 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMS9620SPowerTrench®

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产品型号

FDMS9620S

PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

Qg-GateCharge

10 nC, 18 nC

Qg-栅极电荷

10 nC, 18 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

21.5 mOhms at Q1, 13 mOhms at Q2

RdsOn-漏源导通电阻

21.5 mOhms, 13 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V / 30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

7 ns, 13 ns

下降时间

2.3 ns, 7 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

665pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

14nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

21.5 毫欧 @ 7.5A,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

Power56

其它名称

FDMS9620STR

典型关闭延迟时间

23 ns, 27 ns

功率-最大值

1W

包装

带卷 (TR)

单位重量

228 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-MLP,Power56

封装/箱体

MLP-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

正向跨导-最小值

28 S / 27 S

漏源极电压(Vdss)

30V

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-cloud-systems-computing/4301

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

7.5A,10A

系列

FDMS9620S

通道模式

Enhancement

配置

Dual

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