图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: STD3NK90ZT4
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

STD3NK90ZT4产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STD3NK90ZT4由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STD3NK90ZT4价格参考。STMicroelectronicsSTD3NK90ZT4封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 900V 3A(Tc) 90W(Tc) DPAK。您可以下载STD3NK90ZT4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STD3NK90ZT4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STD3NK90ZT4 是由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它属于功率 MOSFET 类别,适用于多种需要高效开关和功率管理的场景。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
   - STD3NK90ZT4 的高电压耐受能力(900V)使其非常适合用于开关电源(SMPS)设计,例如 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器等。
   - 可用于稳压器电路中,作为高效的开关元件,控制输出电压的稳定。

 2. 电机驱动
   - 在工业自动化和家电领域中,该器件可用于驱动小型直流电机或步进电机,提供高效率和低损耗的开关性能。
   - 适合应用于家用电器(如洗衣机、风扇)、电动工具以及 HVAC(暖通空调)系统中的电机控制。

 3. 逆变器与变频器
   - 在太阳能逆变器和变频器中,STD3NK90ZT4 可用作高频开关元件,实现交流电与直流电之间的转换。
   - 其高耐压特性和低导通电阻(典型值为 0.85Ω)有助于提高整体系统的效率。

 4. 负载切换
   - 用于汽车电子或工业设备中的负载切换电路,例如继电器替代方案,提供更快速、更可靠的开关功能。
   - 在电动车(EV)或混合动力车(HEV)中,可作为电池管理系统(BMS)的一部分,用于保护电池免受过流或短路的影响。

 5. 照明应用
   - 在 LED 照明驱动电路中,该 MOSFET 可用于调光控制或恒流驱动,确保 LED 灯具的亮度稳定且节能。
   - 特别适合高压 LED 驱动器,能够承受较高的输入电压。

 6. 保护电路
   - 用作过流保护或短路保护开关,防止电路因异常电流而损坏。
   - 在不间断电源(UPS)系统中,可以充当快速响应的保护元件。

 总结
STD3NK90ZT4 凭借其高耐压、低导通电阻和优异的开关特性,广泛应用于电力电子领域,包括电源管理、电机驱动、逆变器、负载切换、照明以及保护电路等。其可靠性高、效率优的特点,使其成为许多高电压、大功率应用的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 900V 3A DPAKMOSFET N-Ch 900 Volt 3.0Amp Zener SuperMESH

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

3 A

Id-连续漏极电流

3 A

品牌

STMicroelectronics

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STD3NK90ZT4SuperMESH™

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

STD3NK90ZT4

Pd-PowerDissipation

90 W

Pd-功率耗散

90 W

Qg-GateCharge

22.7 nC

Qg-栅极电荷

22.7 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

4.8 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

4.8 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

900 V

Vds-漏源极击穿电压

900 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

7 ns

下降时间

18 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 50µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

590pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

22.7nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4.8 欧姆 @ 1.5A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D-Pak

其它名称

497-12785-6

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1168/PF67228?referrer=70071840

典型关闭延迟时间

45 ns

功率-最大值

90W

包装

Digi-Reel®

商标

STMicroelectronics

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

2.7 S

漏源极电压(Vdss)

900V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3A (Tc)

系列

STD3NK90Z

通道模式

Enhancement

配置

Single

推荐商品

型号:SI7802DN-T1-GE3

品牌:Vishay Siliconix

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:STD95NH02LT4

品牌:STMicroelectronics

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:RJK6015DPK-00#T0

品牌:Renesas Electronics America

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:SI4638DY-T1-E3

品牌:Vishay Siliconix

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IRF3711STRLPBF

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IXTQ200N10T

品牌:IXYS

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:STD5N62K3

品牌:STMicroelectronics

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:AOB1608L

品牌:Alpha & Omega Semiconductor Inc.

产品名称:分立半导体产品

获取报价

样品试用

万种样品免费试用

去申请
STD3NK90ZT4 相关产品

IRF7832Z

品牌:Infineon Technologies

价格:

IXTA6N50D2

品牌:IXYS

价格:

MTM761100LBF

品牌:Panasonic Electronic Components

价格:

APT14M100B

品牌:Microsemi Corporation

价格:

TPH2010FNH,L1Q

品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

价格:

FDPF12N35

品牌:ON Semiconductor

价格:

IXTC36P15P

品牌:IXYS

价格:

MTM232230L

品牌:Panasonic Electronic Components

价格: