Datasheet下载- 型号： IPS031N03L G
- 制造商： Infineon
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPS031N03L G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPS031N03L G价格参考。InfineonIPS031N03L G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPS031N03L G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPS031N03L G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IPS031N03L G是一款N沟道MOSFET，主要应用于需要高效开关和低导通电阻（Rds(on)）的场景。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC转换器：用于降压或升压转换器中的开关元件，提供高效的功率转换。 - 开关电源（SMPS）：作为主开关管，适用于各种开关电源设计，如适配器、充电器等。 - 负载开关：用于动态控制电路中的电流流动，保护下游电路免受过流或短路的影响。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：用于驱动玩具、家用电器中的小型电机，提供精确的速度和方向控制。 - H桥电路：在双向电机控制中作为关键开关元件，实现电机正转、反转及制动功能。 3. 电池管理系统（BMS） - 电池保护：用于锂离子电池或其他可充电电池组的充放电保护电路中，防止过流、短路或过热。 - 均衡电路：在多节电池串联应用中，用于电池电压均衡，确保各节电池一致性。 4. 汽车电子 - 车载电子设备：如车窗升降器、雨刷器、座椅调节等系统的电机驱动。 - LED照明：用于汽车内部或外部LED灯的驱动电路，提供高效且稳定的电流输出。 - 启动/停止系统：在现代汽车的节能系统中，用于快速切换负载以优化燃油效率。 5. 工业自动化 - 继电器替代：在工业控制系统中，用作固态继电器，实现更可靠和更快速的开关操作。 - 传感器接口：为压力、温度等传感器供电，并根据信号控制相关负载。 6. 消费类电子产品 - 音频放大器：在便携式音响设备中，用于功率输出级的开关或保护。 - USB充电端口：在笔记本电脑、平板电脑等设备中，用于控制USB端口的电流分配。 特性优势 - 低导通电阻（典型值为3.1 mΩ）：降低功耗，提高效率。 - 高电流能力（最大ID为120 A）：支持大功率应用。 - 快速开关速度：减少开关损耗，适合高频工作环境。 总之，IPS031N03L G凭借其高性能参数，广泛适用于各类需要高效功率转换和精确控制的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 90A TO251-3MOSFET N-CH 30 V 90 A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 90 A |
| Id-连续漏极电流 | 90 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPS031N03L GOptiMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPD031N03L_rev1.03.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b4277c5d3c47 |
| 产品型号 | IPS031N03L G |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 94 W |
| Pd-功率耗散 | 94 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 6 ns |
| 下降时间 | 5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5300pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 51nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.1 毫欧 @ 30A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PG-TO251-3 |
| 其它名称 | IPS031N03LGIN |
| 典型关闭延迟时间 | 34 ns |
| 功率-最大值 | 94W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 封装/箱体 | IPAK-3 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 正向跨导-最小值 | 100 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 90A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | IPS031N03LGXK |
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