ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 > BFG540,215
Datasheet下载- 型号： BFG540,215
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BFG540,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFG540,215价格参考。NXP SemiconductorsBFG540,215封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 射频， RF Transistor NPN 15V 120mA 9GHz 400mW Surface Mount SOT-143B。您可以下载BFG540,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFG540,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BFG540,215 是由 NXP USA Inc. 生产的一款射频双极结型晶体管（RF BJT），属于高频小信号放大应用的晶体管。该器件广泛应用于无线通信系统中的射频放大电路，适合工作在数百MHz至数GHz频率范围。 典型应用场景包括： 1. 移动通信基础设施：用于基站接收模块中的低噪声放大器（LNA）或中频放大器，提升信号接收灵敏度。 2. 无线数据传输系统：如点对点微波通信、Wi-Fi 网络设备和无线接入系统，作为射频前端增益单元。 3. 广播与电视发射设备：在VHF/UHF频段中用于信号预放大，确保高质量信号输出。 4. 工业与消费类射频模块：适用于物联网（IoT）网关、远程监控设备等需要稳定射频性能的场合。 BFG540,215 具有高增益、低噪声系数和优良的线性度，适合对信号保真度要求较高的应用。其 SOT-23 封装便于表面贴装，节省电路板空间，适用于紧凑型高频设计。此外，该器件可靠性高，可在较宽温度范围内稳定工作，满足工业级应用需求。 总体而言，BFG540,215 是一款适用于中高频模拟信号放大的通用型射频BJT，特别适合对成本与性能平衡有要求的中低端射频系统设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS RF 15V 9GHZ SOT143B射频双极晶体管 TAPE7 TNS-RFSS |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,NXP Semiconductors BFG540,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BFG540,215 |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 40mA，8V |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 供应商器件封装 | SOT-143B |
| 其它名称 | 568-11108-6 |
| 功率-最大值 | 400mW |
| 功率耗散 | 400 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 2.5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 1.3dB ~ 1.8dB @ 900MHz |
| 增益 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-253-4，TO-253AA |
| 封装/箱体 | SOT-143 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大工作频率 | 9000 MHz |
| 最大直流电集电极电流 | 0.12 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 15V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 120mA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
| 类型 | RF Bipolar Small Signal |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 15 V |
| 集电极连续电流 | 120 mA |
| 零件号别名 | BFG540 T/R |
| 频率 | 9000 MHz |
| 频率-跃迁 | 9GHz |
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