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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7469TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7469TRPBF价格参考。International RectifierIRF7469TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 40V 9A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO。您可以下载IRF7469TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7469TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌)的IRF7469TRPBF是一款P沟道增强型MOSFET,属于单MOSFET晶体管,常用于低电压、高效率的电源管理应用。该器件采用先进的沟槽技术,具有低导通电阻(RDS(on))、优异的开关性能和良好的热稳定性,适合在紧凑型电子设备中使用。 典型应用场景包括:便携式电子产品(如智能手机、平板电脑、笔记本电脑)中的电源开关与负载管理;电池供电系统中的反向极性保护和电池隔离;DC-DC转换器中的同步整流或高端/低端开关;以及各类消费类电子设备中的电机驱动和电源控制模块。此外,由于其封装小巧(通常为SOT-23或类似小型封装),也广泛应用于空间受限的高密度电路板设计中。 IRF7469TRPBF符合RoHS标准,无铅环保,具备良好的可靠性和耐用性,适用于工业控制、通信设备和家用电器等对效率和稳定性要求较高的场合。其P沟道特性使其在某些无需电荷泵的简单驱动电路中更具设计优势,简化了栅极驱动电路的设计复杂度。总体而言,该MOSFET适用于需要高效、低功耗、小尺寸解决方案的中低功率应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 9A 8-SOICMOSFET MOSFT 40V 9A 17mOhm 15nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 9 A |
| Id-连续漏极电流 | 9 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7469TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7469TRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 15 nC |
| Qg-栅极电荷 | 15 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 21 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 21 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2000pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 17 毫欧 @ 9A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | IRF7469PBFDKR |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 21 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 15 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 40 V |
| 漏极连续电流 | 9 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9A (Ta) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf7469.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf7469.spi |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |