ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 > MRF6S9045NBR1
Datasheet下载- 型号： MRF6S9045NBR1
- 制造商： Freescale Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S9045NBR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S9045NBR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S9045NBR1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet LDMOS 28V 350mA 880MHz 22.7dB 10W TO-272-2。您可以下载MRF6S9045NBR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S9045NBR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S9045NBR1 是 NXP Semiconductors 推出的高性能射频（RF）LDMOS MOSFET，专为900 MHz频段（典型工作频率869–960 MHz）的高功率、高效率基站应用设计。其典型应用场景包括： - 蜂窝通信基站功率放大器（PA）：广泛用于GSM、EDGE、UMTS及LTE FDD/TDD基站的末级功放模块，支持多载波信号，具备优异的线性度与热稳定性； - 无线基础设施设备：如宏基站（Macrocell）、分布式基站（BBU+RRU架构中的RRU射频单元）及小基站（Micro/Pico cell）的射频发射链路； - 工业与专用无线系统：适用于PMR（专业移动无线电）、TETRA、公共安全通信等需高可靠性、连续波（CW）或高PAR（峰均比）信号放大的场合； - 广播与ISM频段应用：在部分900 MHz ISM设备（如RF加热、医疗设备）中亦可作为高效率功率源。 该器件采用气腔陶瓷封装（TO-270WB-4），支持高输出功率（典型P1dB达45 W，饱和输出功率>60 W），具备良好的热管理能力与长期可靠性，符合基站设备严苛的MTTF（平均无故障时间）要求。需配合匹配网络、偏置电路及散热设计使用，常搭配NXP推荐的驱动级器件（如MRF6V2010N）构建完整射频功放链。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 28V 10W TO-272-2 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF6S9045NBR1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | TO-272-2 |
| 功率-输出 | 10W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 22.7dB |
| 封装/外壳 | TO-272BC |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 350mA |
| 频率 | 880MHz |
| 额定电流 | 10µA |
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