Datasheet下载- 型号： IXFT20N100P
- 制造商： IXYS
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFT20N100P由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFT20N100P价格参考。IXYSIXFT20N100P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXFT20N100P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFT20N100P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFT20N100P是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），其主要参数为耐压100V、持续漏极电流20A（在特定结温下）。以下是该型号可能的应用场景： 1. 开关电源（SMPS） - IXFT20N100P适用于高频开关电源中的功率开关，例如降压、升压或反激式转换器。其低导通电阻和快速开关特性有助于提高效率并减少能量损耗。 2. 电机驱动 - 在中小型直流电机或步进电机的驱动电路中，作为功率开关控制电机的启停、转速和方向。 - 特别适合需要高效率和低发热的电机控制系统。 3. 逆变器 - 用于小型光伏逆变器或不间断电源（UPS）系统中，将直流电转换为交流电。 - 其高压和大电流能力可以满足逆变器的需求。 4. 负载切换 - 在需要频繁开启或关闭高电流负载的情况下，如LED照明、加热元件或其他电器设备，该MOSFET可以用作电子开关。 5. 电池管理系统（BMS） - 在电池保护电路中，用于控制电池充放电过程中的电流流动，防止过流、短路等问题。 6. 音频功放 - 在D类音频放大器中作为输出级开关器件，提供高效的声音信号放大。 7. 工业自动化 - 用于可编程逻辑控制器（PLC）、伺服驱动器等工业设备中的功率控制部分，实现对负载的精确控制。 8. 汽车电子 - 在车载电子设备中，如电动窗、座椅调节、风扇控制等场景，用作高效的功率开关。 总结 IXFT20N100P凭借其高电压、大电流和低导通电阻的特点，非常适合应用于需要高效功率转换和控制的场合。选择具体应用场景时，需根据实际需求考虑散热设计、驱动电路匹配等因素，以确保其稳定运行。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 1000V 20A TO-268MOSFET 20 Amps 1000V 1 Rds |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 20 A |
| Id-连续漏极电流 | 20 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFT20N100PPolar™ HiPerFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXFT20N100P |
| Pd-PowerDissipation | 660 W |
| Pd-功率耗散 | 660 W |
| Qg-GateCharge | 126 nC |
| Qg-栅极电荷 | 126 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 570 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 570 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1 kV |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 6.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 6.5 V |
| 上升时间 | 37 ns |
| 下降时间 | 45 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 6.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 126nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 570 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-268 |
| 典型关闭延迟时间 | 56 ns |
| 功率-最大值 | 660W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 4.500 g |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | Polar, HiPerFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 封装/箱体 | TO-268-2 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | 8 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 1000V（1kV） |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A （Tc） |
| 系列 | IXFT20N100 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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