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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3433CDV-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3433CDV-T1-E3价格参考。VishaySI3433CDV-T1-E3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI3433CDV-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI3433CDV-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI3433CDV-T1-E3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,常用于电源管理和功率控制应用。其主要应用场景包括: 1. 电源转换器:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器中,用于高效能开关操作。 2. 负载开关:在电池供电设备中作为负载开关,实现对不同模块的供电控制,延长电池寿命。 3. 马达驱动:用于小型电机或步进电机的驱动电路中,提供快速开关和低导通电阻。 4. LED照明:在LED驱动电路中用于调光或恒流控制。 5. 保护电路:如过流保护、电压反接保护等场合。 6. 通信设备:用于电信和网络设备中的电源管理与信号切换。 该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高频率响应和小封装特点,适合高效率、高密度电源设计。由于其良好的热稳定性和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOPMOSFET 20V 6.0A 3.3W 38mohm @ 4.5V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6 A |
| Id-连续漏极电流 | 6 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?68803 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI3433CDV-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI3433CDV-T1-E3SI3433CDV-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.6 W |
| Pd-功率耗散 | 1.6 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 38 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 38 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 22 ns |
| 下降时间 | 22 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 45nC @ 8V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 38 毫欧 @ 5.2A,4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 典型关闭延迟时间 | 50 ns |
| 功率-最大值 | 3.3W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) |
| 封装/箱体 | TSOP-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI3433CDV-E3 |