ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 > PDTC114ET,215
Datasheet下载- 型号： PDTC114ET,215
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTC114ET,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTC114ET,215价格参考。NXP SemiconductorsPDTC114ET,215封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 230MHz 250mW Surface Mount TO-236AB。您可以下载PDTC114ET,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTC114ET,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 PDTC114ET,215 是一款预偏置型双极结型晶体管（BJT），集成了内置偏置电阻，简化电路设计。该器件适用于需要高可靠性和小尺寸的电子应用，广泛用于便携式设备和消费类电子产品中。 典型应用场景包括：智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的信号开关与逻辑电平转换；电源管理电路中的开关控制，如LED驱动和电池充电管理模块；以及各类小型电子设备中的接口电路和继电器驱动。由于其集成电阻降低了外部元件数量，提高了系统稳定性，特别适合空间受限的高密度PCB布局。 此外，PDTC114ET,215也常用于工业控制、家用电器（如智能温控器、遥控器）及通信模块中，执行低功率开关功能。其SOT-23封装体积小巧，便于自动化生产，具备良好的热稳定性和电气性能，可在较宽温度范围内可靠工作，适用于对成本和空间敏感的批量应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS RET TAPE-7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PDTC114ET,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PDTC114ET,215 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-6429-2 |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PDTC114ET T/R |
| 频率-跃迁 | - |
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