Datasheet下载- 型号： STI30N65M5
- 制造商： STMicroelectronics
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STI30N65M5由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STI30N65M5价格参考。STMicroelectronicsSTI30N65M5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STI30N65M5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STI30N65M5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）生产的STI30N65M5是一款高压、高速功率MOSFET，属于超级结MOSFET系列，适用于高效率电源转换应用。其额定电压为650V，连续漏极电流可达30A，具备低导通电阻和优异的开关性能，特别适合在高能效要求的系统中使用。 该器件广泛应用于以下场景： 1. 开关电源（SMPS）：适用于服务器电源、通信电源、工业电源等高效率AC-DC转换器，尤其在PFC（功率因数校正）电路中表现优异，有助于提升整体能效并满足能源标准。 2. 照明电源：用于LED驱动电源，特别是大功率LED路灯、商业照明等需要高可靠性和高效率的场合。 3. 光伏逆变器：在太阳能发电系统中，作为DC-AC转换的关键元件，帮助实现高效能量转换。 4. 电机驱动：适用于中小功率工业电机控制、家用电器中的变频驱动系统，如空调、洗衣机等。 5. 充电设备：可用于电动汽车充电桩、工业充电模块等高压直流电源系统。 STI30N65M5采用先进的MDmesh™ M5技术，具有更低的栅极电荷和导通损耗，能够在高频工作条件下减少发热，提高系统可靠性。同时，其坚固的封装设计增强了抗雪崩能力和热稳定性，适合严苛工业环境使用。 总之，STI30N65M5凭借高性能和高可靠性，是现代高效节能电力电子系统的理想选择，尤其适用于追求高功率密度与低能耗的应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 22A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STI30N65M5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | MDmesh™ V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2880pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 64nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 139 毫欧 @ 11A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 其它名称 | 497-11330-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF222416?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 140W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 22A （Tc） |
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