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  • 型号: FDC6305N
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDC6305N产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDC6305N由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDC6305N价格参考。Fairchild SemiconductorFDC6305N封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2.7A 700mW Surface Mount SuperSOT™-6。您可以下载FDC6305N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDC6305N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CHAN DUAL 20V SSOT6MOSFET SSOT-6 N-CH 20V

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

2.7 A

Id-连续漏极电流

2.7 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDC6305NPowerTrench®

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产品型号

FDC6305N

PCN封装

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

0.9 W

Pd-功率耗散

900 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

60 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

60 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 8 V

Vgs-栅源极击穿电压

8 V

上升时间

8.5 ns

下降时间

8.5 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

310pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

5nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

80 毫欧 @ 2.7A,4.5V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

6-SSOT

其它名称

FDC6305NTR

典型关闭延迟时间

11 ns

功率-最大值

700mW

包装

带卷 (TR)

单位重量

36 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

封装/箱体

SSOT-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

正向跨导-最小值

8 S

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.7A

系列

FDC6305N

通道模式

Enhancement

配置

Dual

零件号别名

FDC6305N_NL

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