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FDPC8011S产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDPC8011S由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDPC8011S价格参考。Fairchild SemiconductorFDPC8011S封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 N 沟道(双)非对称型 Mosfet 阵列 25V 13A,27A 800mW,900mW 表面贴装 Powerclip-33。您可以下载FDPC8011S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDPC8011S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDPC8011S 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双 N 通道 MOSFET 阵列。其主要应用场景包括但不限于以下领域: 1. 电源管理 - 负载开关:用于控制电路中负载的通断,实现高效的电源管理和节能。 - DC-DC 转换器:作为同步整流器或功率级开关,提升 DC-DC 转换器的效率和性能。 - 电池保护:在电池管理系统中,用作电池充放电路径的开关,防止过充、过放或短路。 2. 信号切换 - 多路复用/解复用:在需要切换不同信号路径的场景中,例如音频、视频或数据信号的切换。 - 传感器接口:用于控制传感器的供电或信号传输路径。 3. 电机驱动 - 小型电机控制:适用于低功率直流电机的启动、停止和速度调节。 - H 桥电路:在 H 桥配置中,用于双向电机驱动,支持正转和反转功能。 4. 消费电子设备 - 便携式设备:如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等,用于电源管理和外围设备的控制。 - USB 端口保护:在 USB 充电或数据传输中,提供过流保护和快速切换功能。 5. 通信设备 - 网络交换机和路由器:用于电源分配和信号切换,确保设备稳定运行。 - 基站和无线模块:在射频前端或电源模块中,提供高效开关功能。 6. 工业自动化 - 继电器替代:由于其快速开关特性和低功耗,可替代传统机械继电器用于工业控制。 - PLC 输入/输出模块:用于控制外部设备的通断状态。 7. 汽车电子 - 车载信息娱乐系统:用于音频放大器或显示屏的电源管理。 - 车身控制系统:如车窗升降、座椅调节等低功率电机驱动。 - LED 照明:用于 LED 灯条的调光或开关控制。 特性优势 - 低导通电阻(Rds(on)):降低功率损耗,提高系统效率。 - 小封装尺寸:节省 PCB 空间,适合紧凑型设计。 - 高可靠性:适用于各种严苛环境下的应用。 综上所述,FDPC8011S 的应用场景广泛,特别适合需要高效开关和低功耗的电子系统设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET 2N-CH 25V 13A/27A 8PQFNMOSFET 25V Asymmetric 2xNCh MOSFET PowerTrench |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 N 沟道(双)非对称型 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 13 A |
Id-连续漏极电流 | 13 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDPC8011SPowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDPC8011S |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 1.6 W, 2 W |
Pd-功率耗散 | 1.6 W, 2 W |
Qg-GateCharge | 19 nC, 64 nC |
Qg-栅极电荷 | 19 nC, 64 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.3 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 7.3 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
上升时间 | 2 ns, 5 ns |
下降时间 | 2 ns, 4 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1240pF @ 13V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 6 毫欧 @ 13A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-PQFN(3.3X3.3),Power33 |
其它名称 | FDPC8011SFSTR |
功率-最大值 | 800mW,900mW |
包装 | 带卷 (TR) |
单位重量 | 192 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-WDFN 裸露焊盘 |
封装/箱体 | Power 33-8 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 3,000 |
正向跨导-最小值 | 97 S, 231 S |
漏源极电压(Vdss) | 25V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 13A,27A |
系列 | FDPC8011S |
配置 | Dual |