Datasheet下载- 型号： NX1029X,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NX1029X,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NX1029X,115价格参考。NXP SemiconductorsNX1029X,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NX1029X,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NX1029X,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NX1029X,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品。该型号的 MOSFET 阵列具有低导通电阻、高开关速度和出色的电气性能，适用于多种电子应用场景。以下是其主要的应用场景： 1. 电源管理 - NX1029X,115 可用于 DC-DC 转换器、电压调节模块（VRM）以及负载开关等电源管理电路中。其低导通电阻特性有助于减少功率损耗，提高系统效率。 - 在电池供电设备中，该器件可用于高效管理电池电量，延长设备续航时间。 2. 电机驱动与控制 - 适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路。通过精确控制电流和电压，实现电机的正转、反转及调速功能。 - 在消费电子、家用电器（如风扇、水泵）和工业自动化领域中广泛使用。 3. 信号切换与保护 - 作为信号切换元件，NX1029X,115 可用于多路复用器、解复用器和数据通信接口中，实现高速信号切换。 - 提供过流保护、短路保护等功能，确保系统的稳定性和安全性。 4. 消费电子设备 - 在智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式设备中，用于音频放大器、LED 驱动和触摸屏控制器等模块。 - 其紧凑的封装形式适合小型化设计需求，满足现代消费电子产品对空间优化的要求。 5. 汽车电子 - 适用于车载电子系统中的负载控制，例如车窗升降器、座椅调节器和雨刷控制系统。 - 满足汽车级应用对可靠性和耐久性的严格要求。 6. 工业控制 - 在工业自动化设备中，用于继电器替代、传感器接口和执行器驱动等场景。 - 支持高频率开关操作，适应复杂的工业环境。 总之，NX1029X,115 凭借其高性能和可靠性，成为电源管理、信号处理、电机驱动等领域的重要组件，能够满足从消费电子到工业控制的多样化需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT666MOSFET 60/50V, 330/170 mA N/P-ch Trench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5 A |
| Id-连续漏极电流 | 5 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors NX1029X,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NX1029X,115 |
| Pd-PowerDissipation | 500 mW |
| Pd-功率耗散 | 500 mW |
| Qg-GateCharge | 0.2 nC, 0.12 nC |
| Qg-栅极电荷 | 0.2 nC, 0.12 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 60 V, - 50 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V, - 50 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.6 V, - 1.6 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.6 V, - 1.6 V |
| 上升时间 | 6 ns, 11 ns |
| 下降时间 | 7 ns, 25 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 36pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.35nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.5 欧姆 @ 100mA，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 568-10494-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 12 ns, 48 ns |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 1 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-666-6 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 550 mS, 150 mS |
| 汲极/源极击穿电压 | - 60 V, - 50 V |
| 漏极连续电流 | 5 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V，50V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 330mA， 170mA |
| 通道模式 | Enhancement |
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