Datasheet下载- 型号： SI4214DDY-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4214DDY-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4214DDY-T1-E3价格参考。VishaySI4214DDY-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4214DDY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4214DDY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4214DDY-T1-E3 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列，其主要应用场景包括： 1. 电源管理：该器件适用于各种电源管理应用，例如 DC-DC 转换器、负载开关和电压调节模块（VRM）。由于其低导通电阻（Rds(on)），可以有效降低功耗并提高效率。 2. 电池保护：在便携式设备中，SI4214DDY-T1-E3 可用于电池保护电路，防止过流、短路或反向电流对电池造成损害。 3. 信号切换：在需要高频信号切换的应用中，如音频设备或多路复用器，这款 MOSFET 阵列能够提供快速开关速度和低电容特性，从而减少信号失真。 4. 电机控制：小型电机驱动器中可以使用此器件来实现精确的 PWM 控制，适用于消费电子、玩具和家用电器中的微型电机。 5. 数据通信：在网络接口卡（NIC）或其他高速数据传输系统中，作为热插拔控制器的一部分，保护敏感电路免受浪涌电流的影响。 6. 固态继电器：利用其高可靠性和长寿命特点，可替代传统机电继电器，在工业自动化、家电等领域中充当固态开关。 7. LED 驱动：为 LED 照明提供高效稳定的电流源，支持调光功能，并确保良好的散热性能。 总之，SI4214DDY-T1-E3 凭借其出色的电气特性和紧凑的封装形式（TSSOP-8），非常适合用于空间受限且要求高效能转换效率的各种电子设计项目。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 8.5A SO8 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4214DDY-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 660pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 19.5 毫欧 @ 8A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8.5A |
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