Datasheet下载- 型号： PHKD13N03LT,518
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PHKD13N03LT,518由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PHKD13N03LT,518价格参考。NXP SemiconductorsPHKD13N03LT,518封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PHKD13N03LT,518参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PHKD13N03LT,518 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PHKD13N03LT,518 是 NXP USA Inc. 推出的一款双通道逻辑电平增强型 N 沟道 MOSFET 阵列（采用 LFPAK56 封装），具有低导通电阻（Rds(on) 典型值 13 mΩ @ Vgs = 4.5 V）、高电流能力（ID = 13 A）及优异的热性能。其典型应用场景包括： - DC-DC 电源转换：常用于同步降压（Buck）转换器的下管（low-side switch），尤其适用于笔记本电脑、平板、通信模块等空间受限的高效电源管理设计； - 负载开关与电源分配：在多路供电系统中实现受控上电/断电，如 USB PD 电源路径管理、电池保护板或主板上的分区供电控制； - 电机驱动与LED驱动：适用于小型直流有刷电机（如风扇、打印机步进驱动辅助电路）及中功率 LED 背光/照明的 PWM 调光控制； - 工业与消费类接口保护：配合外部驱动电路，用于 I/O 端口的过流/短路防护或热插拔（Hot-swap）缓冲； - 汽车电子辅助系统：符合 AEC-Q101 认证（注：需确认具体批次是否为汽车级版本），可用于车身控制模块（BCM）中的车窗升降、座椅调节等中小功率负载驱动。 该器件集成双 MOSFET，节省 PCB 面积，支持逻辑电平驱动（3.3 V/5 V MCU 直接控制），具备雪崩耐量和ESD保护，兼顾可靠性与设计简洁性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PHKD13N03LT,518 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 752pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10.7nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 20 毫欧 @ 8A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | 934057755518 |
| 功率-最大值 | 3.57W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10.4A |
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