Datasheet下载- 型号： PHKD13N03LT,518
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PHKD13N03LT,518由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PHKD13N03LT,518价格参考。NXP SemiconductorsPHKD13N03LT,518封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PHKD13N03LT,518参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PHKD13N03LT,518 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 PHKD13N03LT,518 是一款MOSFET阵列产品，适用于需要高效功率管理的多种电子系统。该器件集成了多个N沟道MOSFET，具备低导通电阻、高可靠性和紧凑封装等特点，适合用于以下应用场景： 1. 电源管理系统：如DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统，适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的高效能电源设计。 2. 电机控制与驱动：在小型电机驱动电路中，如无人机、机器人或电动工具中，用于实现高效、快速的开关控制。 3. 汽车电子：用于车载充电系统、车身控制模块或LED照明驱动电路，满足汽车应用对可靠性和空间节省的需求。 4. 工业自动化：适用于工业控制设备中的功率开关，如PLC模块、传感器电源管理和继电器替代方案。 5. 消费电子产品：如智能家电、电源适配器和充电器中，用于提高能效并减少发热。 PHKD13N03LT,518 凭借其集成化设计和优良的热性能，有助于简化电路设计、减小PCB面积，并提升整体系统效率和稳定性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PHKD13N03LT,518 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 752pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10.7nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 20 毫欧 @ 8A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | 934057755518 |
| 功率-最大值 | 3.57W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10.4A |
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