Datasheet下载- 型号： ZXMP3A17DN8TA
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMP3A17DN8TA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMP3A17DN8TA价格参考。Diodes Inc.ZXMP3A17DN8TA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZXMP3A17DN8TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXMP3A17DN8TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes 公司的 ZXMP3A17DN8TA 是一款 MOSFET 阵列器件，主要应用于需要高效、低电压控制的电路中。该器件采用双 N 沟道 MOSFET 阵列设计，适合用于负载开关、电源管理、电机控制、DC-DC 转换器以及电池供电设备等场景。 由于其低导通电阻（Rds(on)）和小型封装（如 8 引脚 SOIC），ZXMP3A17DN8TA 特别适用于空间受限、效率要求高的便携式电子产品，如智能手机、平板电脑、无线路由器和传感器模块等。此外，它也可用于工业控制系统中的信号切换和电源分配。 该器件支持逻辑电平驱动，可直接由微控制器或数字电路控制，适合用于自动化控制和智能电源管理系统。其高可靠性和热稳定性也使其适用于汽车电子和通信设备中的功率控制应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 30V 3.4A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | ZXMP3A17DN8TA |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA （最小） |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 630pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15.8nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 70 毫欧 @ 3.2A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | ZXMP3A17DN8DKR |
| 功率-最大值 | 1.8W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.4A |
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