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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供QS8M51TR由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 QS8M51TR价格参考¥询价-¥询价。ROHM SemiconductorQS8M51TR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载QS8M51TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有QS8M51TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的型号为QS8M51TR的器件属于晶体管中的MOSFET阵列产品。该器件通常集成了多个MOSFET晶体管在一个封装中,适用于需要高效、紧凑设计的电路应用场景。 QS8M51TR主要应用于以下领域: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、电源开关等电路中,实现高效的电能转换与分配。 2. 电机驱动:在小型电机或步进电机控制电路中,作为功率开关元件使用。 3. 负载开关:用于控制高电流负载的通断,如LED驱动、继电器驱动等。 4. 工业自动化:在PLC(可编程逻辑控制器)或其他工业控制设备中,用于信号切换或功率控制。 5. 汽车电子:适用于车载电源系统、传感器驱动或执行器控制等场景。 该器件具有封装小巧、导通电阻低、响应速度快等优点,适合高密度、高性能要求的电子系统设计。由于其阵列结构,可减少外围元件数量,提高系统可靠性并节省PCB空间。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | QS8M51TR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 290pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.7nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 325 毫欧 @ 2A,10V |
| 供应商器件封装 | TSMT8 |
| 其它名称 | QS8M51CT |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD,扁平引线 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2A,1.5A |