Datasheet下载- 型号： SI3588DV-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3588DV-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3588DV-T1-GE3价格参考。VishaySI3588DV-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI3588DV-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI3588DV-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI3588DV-T1-GE3 是一款双N沟道增强型MOSFET阵列器件，常用于需要高效开关和功率控制的应用场景。该器件采用小型封装，适合对空间要求较高的设计。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等，用于提高能效和降低导通损耗。 2. 电机驱动：适用于小型电机或步进电机的控制电路，提供快速开关响应和良好热性能。 3. 电池供电设备：在笔记本电脑、平板、移动电源等便携设备中作为功率开关或电源切换元件。 4. LED照明系统：用于LED背光或照明的调光与驱动控制。 5. 工业自动化与控制电路：作为低电压控制高电流负载的接口元件。 6. 通信设备：用于电信和网络设备中的电源管理和信号切换。 该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高频率响应和良好的热稳定性，适合高频开关应用。由于是双MOSFET结构，可实现更紧凑的电路设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6-TSOP |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI3588DV-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 450mV @ 250µA （最小） |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 80 毫欧 @ 3A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | SI3588DV-T1-GE3TR |
| 功率-最大值 | 830mW， 83mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.5A，570mA |
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