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  • 型号: SIB912DK-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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SIB912DK-T1-GE3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SIB912DK-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIB912DK-T1-GE3价格参考。VishaySIB912DK-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 1.5A 3.1W 表面贴装 PowerPAK® SC-75-6L 双。您可以下载SIB912DK-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIB912DK-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6MOSFET 20V 1.5A 3.1W 216mohm @ 4.5V

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

1.5 A

Id-连续漏极电流

1.5 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIB912DK-T1-GE3TrenchFET®

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产品型号

SIB912DK-T1-GE3SIB912DK-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

1100 mW

Pd-功率耗散

1.1 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

180 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

180 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 8 V

Vgs-栅源极击穿电压

8 V

上升时间

10 ns

下降时间

10 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

95pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

3nC @ 8V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

216 毫欧 @ 1.8A,4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PowerPAK® SC-75-6L 双

其它名称

SIB912DK-T1-GE3DKR

典型关闭延迟时间

24 ns

功率-最大值

3.1W

包装

Digi-Reel®

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

PowerPAK® SC-75-6L 双

封装/箱体

PowerPAK SC-75-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

1.5A

系列

SIB91xDK

通道模式

Enhancement

配置

Dual

零件号别名

SIB912DK-GE3

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