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Datasheet下载- 型号： SIB912DK-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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SIB912DK-T1-GE3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIB912DK-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIB912DK-T1-GE3价格参考。VishaySIB912DK-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 20V 1.5A 3.1W 表面贴装 PowerPAK® SC-75-6L 双。您可以下载SIB912DK-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIB912DK-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIB912DK-T1-GE3 是一款包含两个P沟道MOSFET的阵列器件，常用于需要高效电源管理和负载切换的应用中。该器件具有低导通电阻、高耐压（最高-20V）、小型封装和良好的热性能，适用于对空间和效率要求较高的场景。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：在DC-DC转换器、负载开关或电池供电设备中，用于高效控制电流流向，减少功率损耗。 2. 电机驱动与继电器替代：作为固态开关，替代传统机械继电器，实现高速开关与更长寿命，适用于工业自动化设备中的电机或执行器控制。 3. 通信设备：用于电信和网络设备中的电源切换与保护电路，确保系统稳定性和可靠性。 4. 汽车电子：如车载电源管理系统、LED照明控制、车窗或座椅电机控制等，得益于其可靠性和小型化设计。 5. 消费电子产品：例如笔记本电脑、平板电脑及智能家电中的电源控制模块，提升能效并节省PCB空间。 综上，SIB912DK-T1-GE3凭借其集成度高、性能稳定的特点，广泛应用于工业、通信、汽车及消费类电子产品的电源控制与功率管理领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6MOSFET 20V 1.5A 3.1W 216mohm @ 4.5V |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.5 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIB912DK-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIB912DK-T1-GE3SIB912DK-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 1100 mW |
| Pd-功率耗散 | 1.1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 180 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 180 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 95pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3nC @ 8V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 216 毫欧 @ 1.8A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SC-75-6L 双 |
| 其它名称 | SIB912DK-T1-GE3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 24 ns |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SC-75-6L 双 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SC-75-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.5A |
| 系列 | SIB91xDK |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SIB912DK-GE3 |
