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- 型号： SH8J62TB1
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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SH8J62TB1产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SH8J62TB1由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SH8J62TB1价格参考。ROHM SemiconductorSH8J62TB1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 P 沟道（双） Mosfet 阵列 30V 4.5A 2W 表面贴装 8-SOP。您可以下载SH8J62TB1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SH8J62TB1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor（罗姆半导体）的型号为SH8J62TB1的晶体管属于MOSFET阵列器件，主要用于需要高效功率控制和小型化设计的电子设备中。 该器件的典型应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、电源开关等，实现高效能电能转换，适用于笔记本电脑、平板、智能手机等便携设备的电源系统。 2. 负载开关控制：作为负载开关用于控制电池供电设备中的电源通断，有助于降低待机功耗并提升系统效率。 3. 电机驱动：在小型电机控制电路中用作开关元件，如电动工具、风扇、打印机等设备中的直流电机驱动。 4. LED背光驱动：用于液晶显示屏的LED背光调节与控制，支持亮度调节和节能功能。 5. 汽车电子系统：适用于车载设备如导航系统、娱乐系统、车灯控制模块中的低电压功率控制。 该MOSFET阵列具有低导通电阻、高集成度和小型封装的特点，适合高密度PCB布局，同时有助于减少外围元件数量，提高系统可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SOP8MOSFET Pch+Pch -30V -4.5A MOSFET |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.5 A |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor SH8J62TB1- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SH8J62TB1 |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 60 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 60 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 800pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 56 毫欧 @ 4.5A，10V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 其它名称 | SH8J62TB1DKR |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOP-8 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 3.5 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.5A |
