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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI6954ADQ-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI6954ADQ-T1-E3价格参考。VishaySI6954ADQ-T1-E3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI6954ADQ-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI6954ADQ-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI6954ADQ-T1-E3 是一款双N沟道 MOSFET 阵列器件,常用于需要高效、高集成度开关控制的电子电路中。该器件采用小型封装,具有低导通电阻和良好热性能,适合高密度PCB设计。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、负载开关和电源分配系统,提高能效和稳定性。 2. 电池供电设备:如笔记本电脑、平板和移动设备中,用于电源控制和节能管理。 3. 电机控制:在小型电机或步进电机驱动电路中作为高效开关使用。 4. 通信设备:用于电信和网络设备中的信号切换和功率控制。 5. 汽车电子:如车载充电系统、LED照明控制和传感器电源管理。 该器件因其高集成度和可靠性,广泛应用于对空间和效率要求较高的便携式和高性能电子产品中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOPMOSFET 30V 3.4A 1W |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.1 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.1 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?71130 |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI6954ADQ-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI6954ADQ-T1-E3SI6954ADQ-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 830 mW |
| Pd-功率耗散 | 830 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 53 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 53 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA (最小) |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 53 毫欧 @ 3.4A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
| 其它名称 | SI6954ADQ-T1-E3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 23 ns |
| 功率-最大值 | 830mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) |
| 封装/箱体 | TSSOP-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.1A |
| 系列 | SI6954ADQ |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SI6954ADQ-E3 |