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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3590DV-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3590DV-T1-GE3价格参考。VishaySI3590DV-T1-GE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI3590DV-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI3590DV-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI3590DV-T1-GE3 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列,具有低导通电阻和高开关速度的特点。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - 负载开关:适用于便携式设备中的负载开关应用,能够实现高效的电源切换。 - DC-DC 转换器:在降压或升压转换器中作为同步整流 MOSFET 使用,提供高效的能量转换。 - 电池保护电路:用于锂离子电池或其他可充电电池的充放电保护,防止过流、短路等情况。 2. 信号切换 - 音频信号切换:在音频设备中用于信号路径切换,确保低失真和高保真度。 - 数据线路切换:用于 USB、UART 等高速数据接口的信号切换,支持快速开关和低插入损耗。 3. 电机驱动 - 小型电机控制:适用于消费电子、家用电器中的小功率电机驱动,例如风扇、泵等。 - H 桥电路:在双通道设计中,可以用于构建 H 桥以驱动直流电机正反转。 4. 工业与汽车领域 - 传感器接口:用于工业自动化和汽车电子中的传感器信号切换和保护。 - LED 驱动:在 LED 照明系统中作为电流调节元件,实现高效调光功能。 - 汽车电子:用于车载信息娱乐系统、车身控制模块(BCM)和其他需要低功耗、高性能的场景。 5. 消费电子产品 - 智能手机和平板电脑:用于电源管理单元(PMU)、摄像头模块切换等功能。 - 游戏设备:在游戏控制器、手柄等设备中用于电源管理和信号切换。 优势特点 - 低导通电阻(Rds(on)):降低功耗,提高效率。 - 高 ESD 保护能力:增强器件的抗静电能力,适合严苛环境。 - 小型封装(TSOP-6):节省 PCB 空间,适合紧凑型设计。 综上所述,SI3590DV-T1-GE3 广泛应用于需要高效、低功耗和小型化设计的各类电子系统中,特别是在电源管理、信号切换和电机驱动等领域表现优异。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6-TSOPMOSFET 30V 3.0/2.0A 1.15W 77/170mohm @ 4.5V |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | N 和 P 沟道 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 2.5 A |
Id-连续漏极电流 | 2.5 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI3590DV-T1-GE3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SI3590DV-T1-GE3SI3590DV-T1-GE3 |
Pd-PowerDissipation | 830 mW |
Pd-功率耗散 | 830 mW |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 62 mOhms, 135 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 62 mOhms, 135 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.5nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 77 毫欧 @ 3A,4.5V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 6-TSOP |
功率-最大值 | 830mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) |
封装/箱体 | TSOP-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N and P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.5A,1.7A |
配置 | Dual |
零件号别名 | SI3590DV-GE3 |