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  • 型号: SI3590DV-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI3590DV-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3590DV-T1-GE3价格参考。VishaySI3590DV-T1-GE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI3590DV-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI3590DV-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SI3590DV-T1-GE3 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列,具有低导通电阻和高开关速度的特点。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
   - 负载开关:适用于便携式设备中的负载开关应用,能够实现高效的电源切换。
   - DC-DC 转换器:在降压或升压转换器中作为同步整流 MOSFET 使用,提供高效的能量转换。
   - 电池保护电路:用于锂离子电池或其他可充电电池的充放电保护,防止过流、短路等情况。

 2. 信号切换
   - 音频信号切换:在音频设备中用于信号路径切换,确保低失真和高保真度。
   - 数据线路切换:用于 USB、UART 等高速数据接口的信号切换,支持快速开关和低插入损耗。

 3. 电机驱动
   - 小型电机控制:适用于消费电子、家用电器中的小功率电机驱动,例如风扇、泵等。
   - H 桥电路:在双通道设计中,可以用于构建 H 桥以驱动直流电机正反转。

 4. 工业与汽车领域
   - 传感器接口:用于工业自动化和汽车电子中的传感器信号切换和保护。
   - LED 驱动:在 LED 照明系统中作为电流调节元件,实现高效调光功能。
   - 汽车电子:用于车载信息娱乐系统、车身控制模块(BCM)和其他需要低功耗、高性能的场景。

 5. 消费电子产品
   - 智能手机和平板电脑:用于电源管理单元(PMU)、摄像头模块切换等功能。
   - 游戏设备:在游戏控制器、手柄等设备中用于电源管理和信号切换。

 优势特点
- 低导通电阻(Rds(on)):降低功耗,提高效率。
- 高 ESD 保护能力:增强器件的抗静电能力,适合严苛环境。
- 小型封装(TSOP-6):节省 PCB 空间,适合紧凑型设计。

综上所述,SI3590DV-T1-GE3 广泛应用于需要高效、低功耗和小型化设计的各类电子系统中,特别是在电源管理、信号切换和电机驱动等领域表现优异。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6-TSOPMOSFET 30V 3.0/2.0A 1.15W 77/170mohm @ 4.5V

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

N 和 P 沟道

Id-ContinuousDrainCurrent

2.5 A

Id-连续漏极电流

2.5 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI3590DV-T1-GE3TrenchFET®

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

SI3590DV-T1-GE3SI3590DV-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

830 mW

Pd-功率耗散

830 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

62 mOhms, 135 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

62 mOhms, 135 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

-

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

4.5nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

77 毫欧 @ 3A,4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

6-TSOP

功率-最大值

830mW

包装

带卷 (TR)

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)

封装/箱体

TSOP-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N and P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.5A,1.7A

配置

Dual

零件号别名

SI3590DV-GE3

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