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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7752TR由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7752TR价格参考。International RectifierIRF7752TR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF7752TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7752TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies旗下的IRF7752TR是一款N沟道MOSFET阵列,内置两个独立的MOSFET器件,采用小型化SOT-23封装,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。该型号广泛应用于对空间和能效要求较高的电子设备中。 典型应用场景包括:便携式消费类电子产品(如智能手机、平板电脑和可穿戴设备)中的电源管理与负载开关,用于高效控制电池供电路径;在DC-DC转换器中作为同步整流开关,提升电源转换效率;适用于电机驱动电路,尤其在微型马达或步进电机控制中实现紧凑设计;还可用于热插拔电路保护、LED驱动及各类低电压开关应用。 由于其具备优异的开关性能和低功耗特性,IRF7752TR特别适合需要节能和高集成度的系统设计,广泛服务于消费电子、工业控制和通信设备等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8-TSSOP |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | IRF7752TR |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 861pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 30 毫欧 @ 4.6A,10V |
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) |
| 标准包装 | 4,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.6A |