Datasheet下载- 型号： CSD86350Q5D
- 制造商： Texas Instruments
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD86350Q5D由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD86350Q5D价格参考。Texas InstrumentsCSD86350Q5D封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CSD86350Q5D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD86350Q5D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CSD86350Q5D是Texas Instruments（德州仪器）推出的一款N沟道MOSFET阵列，属于DrMOS器件，集成了两个高性能MOSFET（上下管），专为高效率、大电流同步降压转换设计。该器件广泛应用于对功率密度和能效要求较高的场景。 典型应用场景包括： 1. 服务器与通信设备电源：用于CPU、GPU、ASIC或FPGA的多相电压调节模块（VRM），提供高达25A的持续输出电流，满足高性能处理器动态负载需求。 2. 数据中心电源系统：因其高集成度和低导通电阻（RDS(on)），可减少能量损耗，提升整体能效，适用于48V转12V或中间母线转换架构。 3. 工业自动化与高端计算设备：在紧凑型电源设计中，CSD86350Q5D凭借其小型化QFN封装（5mm×6mm）和优异热性能，适合空间受限但需高功率输出的应用。 4. 电信基础设施：如基站、交换机和路由器中的DC-DC转换器，支持高效、稳定的电源管理。 该器件具备低栅极电荷和优化的开关特性，有助于降低开关损耗，提高工作频率，同时简化外围电路设计。配合TI的电源控制器和驱动器，可构建高性能、高可靠性的数字电源解决方案。总之，CSD86350Q5D适用于需要高效、高功率密度和良好热管理的先进电源系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 40A 8SONMOSFET Synch Buck NexFET Pwr Block MOSFET |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 通道（半桥） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 40 A |
| Id-连续漏极电流 | 40 A |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 产品手册 | http://www.ti.com/litv/slps223e |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD86350Q5DNexFET™ |
| 数据手册 | http://www.ti.com/lit/pdf/slps223e |
| 产品型号 | CSD86350Q5D |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 13 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| 上升时间 | 23 ns |
| 下降时间 | 21 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1870pF @ 12.5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10.7nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6 毫欧 @ 20A，8V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25585 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SON（5x6） |
| 其它名称 | 296-27532-6 |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD86350Q5D |
| 功率-最大值 | 13W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 参考设计库 | http://www.digikey.com/rdl/4294959904/4294959903/520 |
| 商标 | Texas Instruments |
| 商标名 | NexFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-LDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | LSON-8 Clip |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/texas-instruments/CSD86350Q5D.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 40A |
| 系列 | CSD86350Q5D |
| 视频文件 | http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=541363338001http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=1083957888001 |
| 配置 | Dual |
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