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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS8935由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS8935价格参考¥2.48-¥2.48。Fairchild SemiconductorFDS8935封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDS8935参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDS8935 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDS8935 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款双N沟道增强型MOSFET,采用先进的Trench沟槽技术制造,具有低导通电阻、高效率和优良的热稳定性。该器件属于晶体管中的场效应管(FET),具体分类为MOSFET阵列产品。 应用场景: 1. 电源管理: FDS8935常用于DC-DC转换器、同步整流电路以及负载开关等电源管理系统中,适用于需要高效能与小尺寸设计的便携式电子产品,如笔记本电脑、平板电脑和智能手机。 2. 电机控制: 由于其具备较低的导通电阻(Rds(on))和较高的电流承载能力,适合用于小型直流电机或步进电机的驱动控制,常见于工业自动化设备和机器人控制系统中。 3. 电池供电系统: 在电池管理系统(BMS)中作为高侧或低侧开关使用,实现对电池充放电过程的高效控制,广泛应用于电动工具、无人机、储能系统等领域。 4. 汽车电子: 支持车载电源转换模块、LED车灯驱动、车载充电器(OBC)等应用,符合汽车行业对可靠性和效率的严格要求。 5. 通信设备: 在基站电源模块、路由器和交换机等通信基础设施中,用于提高能源利用效率并减小电路板空间占用。 综上,FDS8935凭借其优异性能,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子及通信等多个领域,尤其适合追求高效能、小体积与高稳定性的设计方案。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET 2P-CH 80V 2.1A 8SOICMOSFET -80V Dual P-Channel PowerTrench MOSFET |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 P 沟道(双) |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 2.1 A |
Id-连续漏极电流 | - 2.1 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDS8935PowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDS8935 |
Pd-PowerDissipation | 3.1 W |
Pd-功率耗散 | 3.1 W |
RdsOn-漏源导通电阻 | 183 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 80 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 80 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 879pF @ 40V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 183 毫欧 @ 2.1A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SOIC |
其它名称 | FDS8935CT |
功率-最大值 | 1.6W |
包装 | 剪切带 (CT) |
单位重量 | 187 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SO-8 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 6.4 S |
漏源极电压(Vdss) | 80V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.1A |
系列 | FDS8935 |
配置 | Dual |