Datasheet下载- 型号： NTMD6N02R2
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTMD6N02R2由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMD6N02R2价格参考。ON SemiconductorNTMD6N02R2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTMD6N02R2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTMD6N02R2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTMD6N02R2是安森美（ON Semiconductor）生产的一款MOSFET阵列器件，属于N沟道增强型功率MOSFET，采用双芯片封装（通常为双N沟道结构），具有低导通电阻、高开关速度和小型化封装等优点。该器件广泛应用于对空间和能效要求较高的电子系统中。 典型应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、同步整流电路中，提升转换效率，适用于便携式设备如智能手机、平板电脑的电源模块。 2. 负载开关与电源开关控制：在电池供电设备中作为高侧或低侧开关，实现对负载的快速通断，降低静态功耗。 3. 电机驱动：用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路，适合消费类电器、微型机器人等低电压驱动场景。 4. 热插拔与过流保护电路：凭借其快速响应特性，可用于防止浪涌电流损坏系统。 5. LED背光驱动与照明控制：在LCD背光或智能照明系统中作为开关元件，实现高效调光功能。 该器件工作电压适中（VDS约20V），适合低压应用，且封装紧凑（如TSOP-6或DFN），有利于高密度PCB布局。由于其低栅极电荷和导通电阻，能有效减少开关损耗和发热，提高系统可靠性。因此，NTMD6N02R2常见于消费电子、工业控制、通信设备及物联网终端等对小型化和高效率有要求的领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET PWR N-CH DL 3.92A 20V 8SO |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTMD6N02R2 |
| PCN设计/规格 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1100pF @ 16V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 35 毫欧 @ 6A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | NTMD6N02R2OS |
| 功率-最大值 | 730mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.92A |
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