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- 型号： ZXMN6A25DN8TA
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMN6A25DN8TA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMN6A25DN8TA价格参考。Diodes Inc.ZXMN6A25DN8TA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZXMN6A25DN8TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXMN6A25DN8TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZXMN6A25DN8TA 是由 Diodes 公司生产的一款 MOSFET 阵列器件，主要应用于需要高效、低电压控制的电路中。该器件采用双N沟道MOSFET结构，具有导通电阻低、响应速度快的特点，适用于多种电子系统设计。 典型应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、同步整流电路中，提升能源转换效率，常见于笔记本电脑、平板和移动设备的电源模块。 2. 负载开关与电机驱动：因其低导通电阻和快速切换能力，适合用于控制小型直流电机、风扇或继电器等感性负载。 3. 电池供电设备：如便携式电子产品、智能穿戴设备中，作为高效的功率开关使用，有助于延长电池寿命。 4. 工业自动化控制：在PLC、传感器模块或自动控制系统中，实现对执行机构的精确控制。 5. 汽车电子：用于车载充电器、LED照明控制、车身控制模块等场景，满足汽车环境对可靠性和效率的要求。 该器件采用小型DFN封装（8引脚），适合高密度PCB布局，具备良好的热性能和空间利用率，广泛应用于高性能、低功耗需求的设计中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8-SOICMOSFET Dl 60V N-Chnl UMOS |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5 A |
| Id-连续漏极电流 | 5 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMN6A25DN8TA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXMN6A25DN8TA |
| Pd-PowerDissipation | 2.1 W |
| Pd-功率耗散 | 2.1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 50 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 50 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 4 ns |
| 下降时间 | 10.6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA （最小） |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1063pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20.4nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 50 毫欧 @ 3.6A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 其它名称 | ZXMN6A25DN8TR |
| 典型关闭延迟时间 | 26.2 ns |
| 功率-最大值 | 1.8W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.8A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual Dual Drain |
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