Datasheet下载- 型号： SIA912DJ-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIA912DJ-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIA912DJ-T1-GE3价格参考。VishaySIA912DJ-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIA912DJ-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIA912DJ-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIA912DJ-T1-GE3 是一款双N沟道 MOSFET 阵列器件，常用于需要高效、紧凑功率控制的场合。该器件采用小型封装，具有低导通电阻和高功率密度，适合空间受限但要求高性能的应用设计。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统等，用于提高能效和减小电路体积； 2. 电机驱动：适用于小型电机或步进电机的控制，提供快速开关和低损耗； 3. 负载开关和热插拔控制：用于服务器、通信设备中控制电源分配，防止浪涌电流； 4. LED照明驱动：在LED背光或照明系统中实现高效调光控制； 5. 消费电子产品：如笔记本电脑、平板、移动电源等便携设备中的功率开关和电源管理模块； 6. 工业控制系统：用于PLC、传感器模块和自动化设备中的信号与功率切换。 该MOSFET阵列因其集成度高、封装小巧、性能稳定，广泛应用于对空间和效率有较高要求的电子系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SIA912DJ-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 400pF @ 6V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11.5nC @ 8V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 40 毫欧 @ 4.2A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SC-70-6 双 |
| 其它名称 | SIA912DJ-T1-GE3CT |
| 功率-最大值 | 6.5W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SC-70-6 双 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/Vishay/SC70.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.5A |
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