| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7509TR由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7509TR价格参考。International RectifierIRF7509TR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF7509TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7509TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies旗下的IRF7509TR是一款P沟道MOSFET阵列,内部集成两个独立的P沟道MOSFET,采用TSSOP-8封装,具有低导通电阻、高开关速度和良好热性能的特点。该器件主要适用于需要高效电源管理与负载开关控制的应用场景。 典型应用包括:便携式电子设备(如智能手机、平板电脑)中的电池电源管理与负载开关,用于控制不同功能模块的供电通断;在DC-DC转换电路中作为同步整流或高端开关使用,提升转换效率;在电机驱动、继电器驱动等功率控制场合中实现小信号对大电流负载的控制;还可用于热插拔电路设计,防止上电冲击电流损坏系统。 此外,IRF7509TR因其小型化封装和高集成度,广泛应用于空间受限的消费类电子产品和工业控制设备中,适合对能效和可靠性要求较高的低压电源系统。其P沟道特性简化了栅极驱动设计,无需额外的电荷泵电路,在许多开关电源和电源分配系统中具有显著优势。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N+P 30V 2A MICRO8 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRF7509TR |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 210pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 110 毫欧 @ 1.7A,10V |
| 供应商器件封装 | Micro8™ |
| 其它名称 | *IRF7509TR |
| 功率-最大值 | 1.25W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.7A,2A |