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  • 型号: SIA913ADJ-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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SIA913ADJ-T1-GE3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SIA913ADJ-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIA913ADJ-T1-GE3价格参考。VishaySIA913ADJ-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 P 沟道(双) Mosfet 阵列 12V 4.5A 6.5W 表面贴装 PowerPAK® SC-70-6 双。您可以下载SIA913ADJ-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIA913ADJ-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix品牌的SIA913ADJ-T1-GE3是一款晶体管 - FET,MOSFET阵列器件。其应用场景主要包括以下几个方面:

 1. 电源管理
   - 该器件适用于开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中,用于高效控制电流的开关操作。其低导通电阻特性有助于减少功率损耗,提高电源转换效率。
   - 可用于电池充电电路,实现精确的电流控制和保护功能。

 2. 负载切换
   - 在消费电子、工业设备和汽车电子中,SIA913ADJ-T1-GE3可用于负载切换应用,例如USB端口供电管理、风扇控制等。
   - 其快速开关能力和低功耗特性使其适合需要频繁开启/关闭负载的场景。

 3. 电机驱动
   - 适用于小型直流电机或步进电机驱动,通过PWM(脉宽调制)信号控制电机速度和方向。
   - 在家电、玩具、无人机等领域中,可作为电机驱动电路中的关键元件。

 4. 信号切换与保护
   - 用于多路复用器或信号切换电路中,提供可靠的信号隔离和切换功能。
   - 在数据通信接口(如RS-232、SPI、I2C)中,可用作信号保护和增强驱动能力的元件。

 5. 热插拔保护
   - 在服务器、网络设备和其他需要热插拔功能的应用中,该MOSFET阵列可以防止插入或拔出时的瞬态电流冲击,保护系统免受损坏。

 6. 便携式设备
   - 广泛应用于手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中,用于电池管理、屏幕背光控制和音频放大等功能。
   - 其紧凑的封装形式(如TSSOP)非常适合空间受限的设计。

 7. 汽车电子
   - 在汽车电子领域,可用于车载娱乐系统、LED照明控制、传感器接口等场景。
   - 具备良好的耐高温性能和可靠性,满足汽车级应用要求。

总结来说,SIA913ADJ-T1-GE3凭借其高性能和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备、汽车电子以及便携式设备等领域,特别适合需要高效功率管理和信号切换的场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6MOSFET 12V 4.5A 6.5W 61mohm @ 4.5V

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 P 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

4.3 A

Id-连续漏极电流

4.3 A

品牌

Vishay SiliconixVishay / Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIA913ADJ-T1-GE3TrenchFET®

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

SIA913ADJ-T1-GE3SIA913ADJ-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

1900 mW

Pd-功率耗散

1.9 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

50 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

50 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

12 V

Vds-漏源极击穿电压

- 12 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 8 V

Vgs-栅源极击穿电压

8 V

上升时间

25 ns

下降时间

25 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

590pF @ 6V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

20nC @ 8V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

61 毫欧 @ 3.6A,4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PowerPAK® SC-70-6 双

其它名称

SIA913ADJ-T1-GE3CT

典型关闭延迟时间

30 ns

功率-最大值

6.5W

包装

剪切带 (CT)

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

PowerPAK® SC-70-6 双

封装/箱体

PowerPAK SC-70-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

12V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4.5A

通道模式

Enhancement

配置

Dual

零件号别名

SIA913ADJ-GE3

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