Datasheet下载- 型号： FDW2503N
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDW2503N由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDW2503N价格参考。Fairchild SemiconductorFDW2503N封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDW2503N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDW2503N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDW2503N是安森美（ON Semiconductor）生产的一款MOSFET阵列产品，属于N沟道增强型功率MOSFET，采用双芯片封装，具有低导通电阻和高开关效率的特点。该器件广泛应用于需要高效能、小体积功率开关的场景。 典型应用场景包括：便携式电子设备中的电源管理，如智能手机、平板电脑中的电池充电与放电控制；DC-DC转换器，用于提升或降低电压，适用于笔记本电脑、通信模块等低电压供电系统；电机驱动电路，特别是在小型直流电机或步进电机控制中，提供快速响应和低功耗运行；LED背光驱动，用于液晶显示屏的亮度调节，支持高效恒流输出；以及各类负载开关和热插拔电路，实现对电源路径的精确控制与过流保护。 此外，FDW2503N因其高集成度和优异的热性能，也适用于空间受限且对可靠性要求较高的工业控制、消费类电子产品和物联网设备。其封装紧凑，有助于减少PCB占用面积，提高整体系统密度。 综上，FDW2503N凭借其高效、低损耗和高集成特性，主要应用于电源管理、电压转换、电机驱动、LED驱动及负载开关等中低功率电子系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH DUAL 20V 5.5A 8-TSSO |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDW2503N |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1082pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 21 毫欧 @ 5.5A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
| 功率-最大值 | 600mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.5A |
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