Datasheet下载- 型号： SI3905DV-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3905DV-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3905DV-T1-E3价格参考。VishaySI3905DV-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI3905DV-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI3905DV-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI3905DV-T1-E3 是一款包含两个P沟道MOSFET的阵列器件，常用于需要高效电源管理和负载开关控制的应用。该器件具有低导通电阻、小封装和高可靠性特点，适用于空间受限和对效率要求较高的系统。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、负载开关或电源多路复用，实现对不同电源路径的高效控制。 2. 电池供电设备：如笔记本电脑、平板电脑和便携式仪器，用于电池充放电管理或电源切换，以提高能效和延长续航。 3. 工业控制系统：用于PLC、传感器模块或小型执行器的电源控制，提供紧凑而可靠的开关方案。 4. 通信设备：在路由器、交换机等设备中用于热插拔控制或模块供电管理。 5. 汽车电子：用于车载电源系统、辅助控制模块等，满足对空间和稳定性的要求。 该器件采用小型DFN封装，适合高密度PCB布局，广泛应用于对尺寸和效率有较高要求的现代电子设计中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI3905DV-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 450mV @ 250µA （最小） |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 125 毫欧 @ 2.5A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 功率-最大值 | 1.15W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 8V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | - |
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