Datasheet下载- 型号： IRL6372PBF
- 制造商： International Rectifier
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRL6372PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRL6372PBF价格参考。International RectifierIRL6372PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRL6372PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRL6372PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRL6372PBF是由英飞凌科技（Infineon Technologies）生产的一款双通道N沟道逻辑电平增强型MOSFET阵列，其主要应用场景包括但不限于以下领域： 1. 电机驱动与控制 - IRL6372PBF适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路。由于其低导通电阻（Rds(on)），能够高效地控制电机的启动、停止和速度调节。 - 可用于家用电器（如风扇、泵）、玩具以及自动化设备中的电机控制。 2. 电源管理 - 在开关电源（SMPS）和DC-DC转换器中，该器件可用作同步整流MOSFET，以提高效率并降低功耗。 - 其低导通电阻特性有助于减少传导损耗，适合电池供电设备（如移动电源、笔记本电脑适配器等）。 3. 负载开关 - 作为负载开关，IRL6372PBF可以实现对不同负载的快速开启和关闭，同时提供过流保护功能。 - 应用于消费电子设备（如智能手机、平板电脑）以及物联网（IoT）设备中。 4. 信号切换与隔离 - 在需要高频信号切换的应用中，该器件可用来实现信号路径的选择与隔离，例如音频放大器中的输入/输出切换。 - 适用于通信设备、测试测量仪器等领域。 5. 汽车电子 - 虽然IRL6372PBF并非专为汽车级设计，但在非关键性车载应用中（如车窗升降器、座椅调节系统），它仍能表现出良好的性能。 - 需注意的是，在极端温度或高可靠性要求的场景下，需选择符合AEC-Q101标准的产品替代。 6. LED驱动 - 该器件可用于驱动高亮度LED灯串，特别是在需要调光或恒流控制的情况下。 - 常见于广告牌显示屏、舞台灯光系统及汽车照明系统中。 总结 IRL6372PBF凭借其双通道设计、低导通电阻和较高的电流承载能力，广泛应用于各种低电压、大电流的功率管理系统中。其紧凑的封装形式（如SO-8）也使其非常适合空间受限的设计环境。然而，在具体应用时，需根据实际工作条件评估其散热性能和电气参数是否满足需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 8.1A SO8MOSFET 30V DUAL N-CH LO LOGIC LEVEL |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 8.1 A |
| Id-连续漏极电流 | 8.1 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRL6372PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRL6372PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| Qg-GateCharge | 11 nC |
| Qg-栅极电荷 | 11 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 17.9 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 17.9 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 10µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1020pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 17.9 毫欧 @ 8.1A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 功率-最大值 | 2W |
| 功率耗散 | 2 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 17.9 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 95 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 11 nC |
| 标准包装 | 95 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 8.1 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8.1A |
| 配置 | Dual |
| 闸/源击穿电压 | 12 V |
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