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  • 型号: IRFI4020H-117P
  • 制造商: International Rectifier
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IRFI4020H-117P产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFI4020H-117P由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFI4020H-117P价格参考。International RectifierIRFI4020H-117P封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 200V 9.1A 21W 通孔 TO-220-5 整包。您可以下载IRFI4020H-117P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFI4020H-117P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IRFI4020H-117P 是由 Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的一款晶体管,属于 FET(场效应晶体管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)阵列类别。该型号的 MOSFET 阵列通常应用于以下场景:

 1. 电源管理
   - IRFI4020H-117P 可用于开关电源(SMPS)设计中,作为高效的功率开关元件。其低导通电阻特性有助于减少能量损耗,提高转换效率。
   - 在 DC-DC 转换器中,该器件能够实现快速开关和稳定的电流传输,适用于笔记本电脑、服务器和其他电子设备的电源模块。

 2. 电机驱动
   - 该 MOSFET 阵列可用于小型电机驱动电路,例如无刷直流电机(BLDC)或步进电机的控制。其高频率开关能力和良好的热性能使其适合于高效电机控制应用。
   - 常见于家用电器(如风扇、水泵)和工业自动化设备中的电机控制系统。

 3. 负载切换
   - 在需要频繁切换负载的场景中,IRFI4020H-117P 可以用作负载开关,确保快速响应和低功耗。例如,在汽车电子系统中,用于控制车灯、雨刷或其他电气组件的开启与关闭。

 4. 电池保护与管理系统
   - 该型号的 MOSFET 阵列可以集成到电池保护电路中,防止过充、过放、短路等异常情况。它广泛应用于锂电池组保护电路以及电动汽车(EV)或混合动力汽车(HEV)的电池管理系统(BMS)。

 5. 通信设备
   - 在通信基站、路由器和其他网络设备中,IRFI4020H-117P 可用于信号放大和功率调节,支持高效能的数据传输和处理。

 6. 消费类电子产品
   - 该器件适用于各种消费类电子产品,例如平板电脑、智能手机充电器、游戏机等,提供可靠的电力传输和保护功能。

 特性总结
IRFI4020H-117P 的主要优势包括:
- 高效率:低导通电阻(Rds(on))降低了功率损耗。
- 高可靠性:出色的热管理和耐用性,适应严苛的工作环境。
- 快速开关:支持高频操作,适合现代电子设备的需求。

综上所述,IRFI4020H-117P 广泛应用于电源管理、电机驱动、电池保护、通信设备及消费类电子产品等领域,是一款高性能的 MOSFET 阵列解决方案。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 200V 9.1A TO-220FP-5MOSFET MOSFT DUAL NCh 200V 9.1A 5-Pin

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

9.1 A

Id-连续漏极电流

9.1 A

品牌

International Rectifier

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFI4020H-117P-

数据手册

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产品型号

IRFI4020H-117P

PCN组件/产地

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

21 W

Pd-功率耗散

21 W

Qg-GateCharge

19 nC

Qg-栅极电荷

19 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

80 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

80 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

200 V

Vds-漏源极击穿电压

200 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

8 ns

下降时间

4 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.9V @ 100µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1240pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

29nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

100 毫欧 @ 5.5A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220-5 整包

其它名称

IRFI4020H117P

典型关闭延迟时间

18 ns

功率-最大值

21W

功率耗散

21 W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

80 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-5 整包

封装/箱体

TO-220FP-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最小工作温度

- 55 C

栅极电荷Qg

19 nC

标准包装

50

汲极/源极击穿电压

200 V

漏极连续电流

9.1 A

漏源极电压(Vdss)

200V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

9.1A

通道模式

Enhancement

配置

Half-Bridge

闸/源击穿电压

20 V

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