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Datasheet下载- 型号： SI4910DY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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SI4910DY-T1-GE3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4910DY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4910DY-T1-GE3价格参考。VishaySI4910DY-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 40V 7.6A 3.1W 表面贴装 8-SO。您可以下载SI4910DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4910DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4910DY-T1-GE3 是一款P沟道增强型MOSFET阵列器件，采用双N通道与P通道设计（实际为P沟道双MOSFET），常用于电源管理和负载开关应用。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高效率和小型化封装（如SO-8），适用于对空间和功耗敏感的电子设备。 典型应用场景包括：便携式电子产品（如智能手机、平板电脑）中的电池电源管理与反向电流隔离；电源开关电路中实现高低边驱动控制；DC-DC转换器中的同步整流或电平转换；以及各类消费类电子设备中的信号切换与负载保护。其P沟道特性使其在关断高侧开关时无需额外电荷泵电路，简化了设计并降低成本。 此外，SI4910DY-T1-GE3具备良好的热稳定性和可靠性，适合工业控制、通信模块及嵌入式系统中需要高效、紧凑功率开关解决方案的场合。由于其符合RoHS标准且无卤素，也广泛应用于绿色环保电子产品中。总体而言，该器件适用于需低电压控制、高集成度和高能效的中低功率场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4910DY-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 855pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 32nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 27 毫欧 @ 6A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4910DY-T1-GE3CT |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.6A |
