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  • 型号: SI4910DY-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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SI4910DY-T1-GE3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI4910DY-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4910DY-T1-GE3价格参考。VishaySI4910DY-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 40V 7.6A 3.1W 表面贴装 8-SO。您可以下载SI4910DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI4910DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC

产品分类

FET - 阵列

FET功能

标准

FET类型

2 个 N 沟道(双)

品牌

Vishay Siliconix

数据手册

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产品图片

产品型号

SI4910DY-T1-GE3

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

TrenchFET®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

855pF @ 20V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

32nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

27 毫欧 @ 6A,10V

供应商器件封装

8-SO

其它名称

SI4910DY-T1-GE3CT

功率-最大值

3.1W

包装

剪切带 (CT)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

40V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

7.6A

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