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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供EFC6605R-TR由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 EFC6605R-TR价格参考。ON SemiconductorEFC6605R-TR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载EFC6605R-TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有EFC6605R-TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
EFC6605R-TR是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款MOSFET阵列器件,主要用于需要高效功率管理与开关控制的应用场景。该器件集成多个MOSFET,具备良好的导通性能与热稳定性,适用于对空间与效率有较高要求的电子系统。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理系统:用于DC-DC转换器、电源分配系统,实现高效的电能转换与管理,广泛应用于通信设备、工业控制系统和便携式电子产品。 2. 负载开关控制:作为高侧或低侧开关,用于控制电源对负载的供给,常见于服务器、计算机主板及嵌入式系统中。 3. 电机驱动电路:在小型电机或步进电机驱动中,作为功率开关元件,用于工业自动化设备或消费类电子产品。 4. 电池管理系统(BMS):用于电池充放电控制,实现对电池状态的精确管理,保障系统安全运行。 5. LED照明驱动:用于高亮度LED驱动电路中,实现恒流控制和高效能调光功能。 该器件采用小型封装,适合高密度PCB布局,适用于需要节省空间和提升系统可靠性的设计。其低导通电阻和高开关速度特性使其在高频开关应用中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 24V 6A EFCP |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极,2.5V 驱动 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | EFC6605R-TR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19.8nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | - |
| 供应商器件封装 | 6-DSBGA |
| 功率-最大值 | 1.6W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-XFBGA,DSBGA |
| 标准包装 | 5,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | - |