| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SIA921EDJ-T4-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIA921EDJ-T4-GE3价格参考。VishaySIA921EDJ-T4-GE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SIA921EDJ-T4-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIA921EDJ-T4-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIA921EDJ-T4-GE3 是一款双 N 沟道 MOSFET 阵列器件,广泛应用于需要高效、紧凑功率控制的场合。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关,提升能效并减小电路体积。 2. 电池供电设备:如笔记本电脑、平板及移动电源,适用于低电压、高效率系统设计。 3. 电机驱动:在小型电机或步进电机控制中作为开关元件,实现精确控制。 4. 负载切换与保护:用于热插拔电路或电源多路复用,防止过载与电流冲击。 5. 工业自动化:如PLC模块、传感器接口和继电器替代方案,提高系统可靠性和响应速度。 该器件采用小型DFN封装,适合高密度布局,且具备低导通电阻和快速开关特性,适用于高频操作环境。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道(双) |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | SIA921EDJ-T4-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 59 毫欧 @ 3.6A,4.5V |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SC-70-6 双 |
| 功率-最大值 | 7.8W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SC-70-6 双 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.5A |