Datasheet下载- 型号： SI7994DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7994DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7994DP-T1-GE3价格参考。VishaySI7994DP-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI7994DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7994DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7994DP-T1-GE3 是一款双N沟道增强型MOSFET阵列器件，常用于需要高效开关和功率控制的电子电路中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关，提供高效能和低导通电阻，有助于提高电源转换效率。 2. 电机控制：用于小型电机或步进电机的驱动电路，支持快速开关操作，提高控制精度。 3. 负载开关与电源分配：在多路电源管理系统中，用于控制不同负载的供电，具备快速响应和低功耗特性。 4. 电池供电设备：如笔记本电脑、平板电脑、便携式仪器等，用于电池保护和电源切换，延长电池寿命。 5. 工业自动化与控制：用于PLC、继电器替代方案及传感器控制电路，提供高可靠性和稳定性。 6. 汽车电子：适用于车身控制模块、车载充电系统等对可靠性和效率有较高要求的场景。 该器件采用小型封装，适合高密度PCB布局，广泛应用于中低功率开关场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK SO-8MOSFET 30V 60A 46W 5.6mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 20 A |
| Id-连续漏极电流 | 20 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7994DP-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7994DP-T1-GE3SI7994DP-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 3.5 W |
| Pd-功率耗散 | 3.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5.6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5.6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 15 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3500pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 80nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.6 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 Dual |
| 其它名称 | SI7994DP-T1-GE3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 40 ns |
| 功率-最大值 | 46W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 双 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 60A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual Dual Drain |
| 零件号别名 | SI7994DP-GE3 |
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