Datasheet下载- 型号： ALD1117SAL
- 制造商： Advanced Linear Devices
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ALD1117SAL由Advanced Linear Devices设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ALD1117SAL价格参考。Advanced Linear DevicesALD1117SAL封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ALD1117SAL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ALD1117SAL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Advanced Linear Devices Inc.（ALD）的ALD1117SAL是一款MOSFET阵列器件，属于晶体管中的FET类别。它内部集成了多个MOSFET晶体管，通常用于需要高集成度和匹配性能的模拟与混合信号电路中。 ALD1117SAL的主要应用场景包括： 1. 模拟开关与多路复用器：由于其低导通电阻和良好的开关特性，适用于构建高精度模拟开关和多路复用器电路。 2. 电源管理电路：可用于DC-DC转换器、电压调节器等电源管理应用中，实现高效的功率控制。 3. 传感器接口电路：在传感器信号调理电路中，用于信号的切换、放大或调制，尤其适合对精度和稳定性有较高要求的场合。 4. 测试与测量设备：在自动化测试设备（ATE）和精密测量仪器中，用于构建高精度的信号路径控制电路。 5. 工业控制与自动化系统：用于工业控制系统中的电机驱动、负载切换和逻辑控制等功能模块。 6. 电池供电设备：由于其低功耗特性，适合用于便携式设备和电池供电系统中的电源开关和信号控制。 ALD1117SAL采用SOP封装，适合表面贴装，适用于高密度PCB布局。其优异的匹配性和稳定性使其在精密模拟电路设计中具有较高的实用价值。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 13.2V 2MA 8SOICMOSFET Dual P-Channel Array |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 2 P 沟道（双）配对 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 1.3 mA |
| Id-连续漏极电流 | - 1.3 mA |
| 品牌 | Advanced Linear Devices Inc |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Advanced Linear Devices ALD1117SAL- |
| mouser_ship_limit | 根据美国政府的出口法规规定，Mouser无法将此产品销售到您所在的国家。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ALD1117SAL |
| Pd-PowerDissipation | 500 mW |
| Pd-功率耗散 | 500 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.8 kOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.8 kOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 12 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 12 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 13.2 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 13.2 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 1µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3pF @ 5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1800 欧姆 @ 5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 其它名称 | 1014-1049 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Advanced Linear Devices |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 70 C |
| 最小工作温度 | 0 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 0.00067 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 10.6V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | - |
| 系列 | ALD1117S |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
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