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  • 型号: FDPC8012S
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDPC8012S由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDPC8012S价格参考。Fairchild SemiconductorFDPC8012S封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDPC8012S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDPC8012S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET 2N-CH 25V 13A/26A PWR CLPMOSFET 25V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 N 沟道(双)非对称型

Id-ContinuousDrainCurrent

88 A

Id-连续漏极电流

88 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDPC8012SPowerTrench®

数据手册

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产品型号

FDPC8012S

Pd-PowerDissipation

2 W

Pd-功率耗散

2 W

Qg-GateCharge

25 nC

Qg-栅极电荷

25 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

7.5 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

7.5 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

25 V

Vds-漏源极击穿电压

25 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

1.6 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1.6 V

上升时间

3 ns

下降时间

3 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1075pF @ 13V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

8nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

7 毫欧 @ 12A, 4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

Powerclip-33

其它名称

FDPC8012S-ND
FDPC8012STR
Q7602092

典型关闭延迟时间

34 ns

功率-最大值

800mW,900mW

包装

带卷 (TR)

单位重量

192 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerWDFN

封装/箱体

Power Clip 33-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

正向跨导-最小值

200 S

漏源极电压(Vdss)

25V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

13A, 26A

系列

FDPC8012S

配置

Dual Asymmetric

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