【未分类_IRF7501TRPBF】封装/厂家_IRF7501TRPBF中文资料_价格

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型号： IRF7501TRPBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7501TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7501TRPBF价格参考。International RectifierIRF7501TRPBF封装/规格：未分类，暂无。您可以下载IRF7501TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7501TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IRF7501TRPBF 是 Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的晶体管 - FET，MOSFET - 阵列型号。该器件具有以下主要应用场景：

 1. 电源管理
   - IRF7501TRPBF 适用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器等电源管理系统。其低导通电阻和快速开关特性使其能够高效地进行电压调节和电流控制。
   - 在电池充电器中，该器件可用于实现高效的功率转换和保护功能。

 2. 电机驱动
   - 该 MOSFET 阵列适合用于小型直流电机或步进电机的驱动电路。它可以通过 PWM（脉宽调制）信号精确控制电机的速度和方向。
   - 在消费电子设备（如电动工具、家用电器）中，IRF7501TRPBF 可作为电机驱动的核心元件。

 3. 负载开关
   - 在需要频繁切换负载的应用中，IRF7501TRPBF 可用作高效的负载开关。例如，在智能手机、平板电脑和其他便携式设备中，它可以动态管理不同模块的供电状态以降低功耗。

 4. 通信设备
   - 该器件适用于基站、路由器和其他通信设备中的信号放大和功率管理模块。其低损耗特性和高可靠性满足了通信系统对效率和稳定性的要求。

 5. 汽车电子
   - 在汽车电子领域，IRF7501TRPBF 可用于车身控制系统、车窗升降器、座椅调节器以及 LED 照明驱动等应用。其出色的热性能和耐用性使其能够在严苛的汽车环境中正常工作。

 6. 工业自动化
   - 在工业控制领域，该 MOSFET 阵列可用于可编程逻辑控制器（PLC）、传感器接口和执行器驱动等场景。它的高性能和稳定性有助于提高工业设备的工作效率。

 总结
IRF7501TRPBF 的主要优势在于其低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力，这使得它非常适合需要高效功率转换和精确控制的各种应用场景。无论是消费电子、通信设备还是工业自动化，该器件都能提供可靠的性能支持。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH DUAL 20V 2.4A MICRO8MOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 2.4A Micro 8
产品分类	FET - 阵列分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	2 个 N 沟道（双）
Id-ContinuousDrainCurrent	2.4 A
Id-连续漏极电流	2.4 A
品牌	International Rectifier
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7501TRPBFHEXFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRF7501TRPBF
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	1.2 W
Pd-功率耗散	1.2 W
Qg-GateCharge	5.3 nC
Qg-栅极电荷	5.3 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	135 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	135 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vds-漏源极击穿电压	20 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 12 V
Vgs-栅源极击穿电压	12 V
上升时间	24 ns
下降时间	16 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	700mV @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	260pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	8nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	135 毫欧 @ 1.7A，4.5V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	Micro8™
其它名称	IRF7501TRPBF-ND IRF7501TRPBFTR Q2235500 Q3145294
典型关闭延迟时间	15 ns
功率-最大值	1.25W
功率耗散	1.2 W
包装	带卷（TR）
商标	International Rectifier
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	135 mOhms
封装	Reel
封装/外壳	8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
封装/箱体	Micro-8
工厂包装数量	4000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
栅极电荷Qg	5.3 nC
标准包装	4,000
正向跨导-最小值	2.6 S
汲极/源极击穿电压	20 V
漏极连续电流	2.4 A
漏源极电压(Vdss)	20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	2.4A
设计资源	http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf7501.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf7501.spi
通道模式	Enhancement
配置	Dual
闸/源击穿电压	+/- 12 V