ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > ZVP4105A
Datasheet下载- 型号： ZVP4105A
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZVP4105A由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZVP4105A价格参考。Diodes Inc.ZVP4105A封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 P 沟道 50V 175mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3。您可以下载ZVP4105A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZVP4105A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZVP4105A 是由 Diodes Incorporated 生产的一款增强型 P 沟道 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。这款器件具有低导通电阻和高开关速度，适用于多种应用场景。以下是 ZVP4105A 的主要应用场景： 1. 电源管理 ZVP4105A 常用于低压电源管理电路中，尤其是在需要高效开关的场合。它可以作为负载开关或电源切换元件，用于控制电源的通断。由于其低导通电阻特性，可以在开关过程中减少功率损耗，提高电源效率。 2. 电池管理系统 在便携式设备如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等的电池管理系统中，ZVP4105A 可以用作电池保护开关。它能够快速响应过流、过压等异常情况，切断电路以保护电池和设备的安全。 3. 电机驱动 ZVP4105A 适用于小型直流电机的驱动电路，尤其是需要精确控制电机启停的应用。P 沟道 MOSFET 的特性使其适合用于高压侧开关，能够在电机启动时提供足够的电流，并在停止时迅速切断电源。 4. 信号电平转换 在数字电路中，ZVP4105A 可用于信号电平转换，特别是在需要将逻辑电平从一个电压域转换到另一个电压域的情况下。例如，在微控制器与外部设备之间的接口电路中，MOSFET 可以用来实现电压匹配，确保信号的正确传输。 5. LED 驱动 ZVP4105A 还可以用于 LED 驱动电路，尤其是在需要调光或亮度控制的应用中。通过调节栅极电压，可以控制 MOSFET 的导通程度，从而实现对 LED 亮度的精确控制。 6. 汽车电子 在汽车电子系统中，ZVP4105A 可用于各种开关应用，如车灯控制、雨刷器控制等。其高可靠性和耐高温特性使其能够在恶劣的车载环境中稳定工作。 总之，ZVP4105A 凭借其低导通电阻、快速开关速度和良好的耐压性能，广泛应用于电源管理、电池保护、电机驱动、信号电平转换、LED 驱动以及汽车电子等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 50V 175MA TO92-3MOSFET P-Chnl 50V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | - 175 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZVP4105A- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZVP4105A |
| Pd-PowerDissipation | 625 mW |
| Pd-功率耗散 | 625 mW |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 10 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 50 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 40pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10 欧姆 @ 100mA，5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 其它图纸 |
|
| 典型关闭延迟时间 | 18 ns |
| 功率-最大值 | 625mW |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 10 Ohms |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 封装/箱体 | TO-92-3 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 50 V |
| 漏极连续电流 | - 175 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 50V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 175mA （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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