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产品简介:
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NVMD6P02R2G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款MOSFET阵列产品,属于N沟道功率MOSFET,采用双芯片封装(通常为双N沟道配置),具有低导通电阻和高效率特性。该器件广泛应用于需要高效开关和电源管理的场景。 典型应用场景包括:便携式电子设备中的电源开关与负载管理,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电池电源控制;在DC-DC转换器中用于同步整流,提升转换效率;在电机驱动电路中作为H桥或半桥开关元件,适用于小型直流电机或步进电机控制;还可用于热插拔电路、LED驱动模块以及各类电源管理系统中,实现快速响应和低功耗运行。 由于其封装紧凑(如DPAK或类似功率封装)、耐压适中(60V)、电流承载能力较强,NVMD6P02R2G特别适合空间受限但对热性能和电气性能有要求的应用环境。此外,该器件符合RoHS环保标准,并具备良好的可靠性和温度稳定性,适用于工业控制、消费电子和汽车电子中的辅助电源系统等场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 7.8A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NVMD6P02R2G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | * |
| 标准包装 | 2,500 |