Datasheet下载- 型号： SI7958DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7958DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7958DP-T1-GE3价格参考。VishaySI7958DP-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI7958DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7958DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7958DP-T1-GE3 是一款P沟道、30V、-6.3A的MOSFET阵列器件，采用双通道（Dual P-Channel）设计，封装为PowerPAK SO-8双散热焊盘，适用于空间受限但需要高效功率管理的应用。该器件具有低导通电阻（RDS(on)），可减少导通损耗，提升系统效率。 SI7958DP-T1-GE3 主要应用于便携式电子设备和电池供电系统，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和移动电源等，常用于电源开关、负载开关、电池反向保护及热插拔控制电路中。其P沟道特性使其在高边开关（High-side Switch）应用中无需额外电荷泵电路，简化设计并降低成本。 此外，该器件也广泛用于DC-DC转换器中的同步整流、电机驱动模块以及各类消费类电子产品中的电源管理单元。由于具备良好的热性能和小型化封装，适合高密度PCB布局，满足现代电子产品对小型化和高能效的需求。 SI7958DP-T1-GE3 还具备优良的抗瞬态电流能力和可靠性，适用于工业控制、通信设备和便携式医疗设备中的电源控制场景。总体而言，该MOSFET阵列为需要高效、紧凑型功率开关解决方案的设计提供了稳定可靠的性能支持。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8MOSFET Dual N-Ch 40V 16.5mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 7.2 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7958DP-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7958DP-T1-GE3SI7958DP-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.4 W |
| Pd-功率耗散 | 1.4 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 16.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 16.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 17 ns |
| 下降时间 | 17 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 75nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 16.5 毫欧 @ 11.3A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 Dual |
| 其它名称 | SI7958DP-T1-GE3TR |
| 典型关闭延迟时间 | 66 ns |
| 功率-最大值 | 1.4W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 16.5 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 双 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 40 V |
| 漏极连续电流 | 7.2 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.2A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SI7958DP-GE3 |
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