| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SP8M4FU6TB由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SP8M4FU6TB价格参考。ROHM SemiconductorSP8M4FU6TB封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SP8M4FU6TB参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SP8M4FU6TB 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SP8M4FU6TB 是由罗姆半导体(Rohm Semiconductor)生产的一款MOSFET阵列器件,主要应用于需要高效、小型化功率控制的场合。该器件内部集成多个MOSFET,常用于以下场景: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、负载开关等电路中,实现高效的能量传输与分配。 2. 电机驱动:在小型电机或步进电机的驱动电路中,提供高响应速度和良好的热稳定性。 3. 工业自动化:用于PLC、传感器模块及继电器替代方案,提升系统可靠性与寿命。 4. 消费类电子产品:如笔记本电脑、平板、智能家电等设备中的电源开关与负载控制。 其封装小巧、导通电阻低,适合高密度PCB布局,满足便携设备和嵌入式系统对空间和效率的要求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SP8M4FU6TB |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1190pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 18 毫欧 @ 9A,10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 其它名称 | SP8M4FU6TBDKR |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9A,7A |