ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > PMDPB70XPE,115
Datasheet下载- 型号： PMDPB70XPE,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMDPB70XPE,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMDPB70XPE,115价格参考。NXP SemiconductorsPMDPB70XPE,115封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 P 沟道（双） Mosfet 阵列 20V 3A 515mW 表面贴装 6-HUSON-EP（2x2）。您可以下载PMDPB70XPE,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMDPB70XPE,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMDPB70XPE,115 是 NXP USA Inc. 推出的双通道逻辑电平增强型 N 沟道 MOSFET 阵列（采用 LFPAK56 封装），具有低导通电阻（Rds(on) 典型值 24 mΩ @ Vgs=4.5V）、高开关速度及集成ESD保护等特性。其典型应用场景包括： - 电源管理：用于便携式设备（如智能手机、TWS耳机、智能手表）中的负载开关、电池充放电路径控制或电源域隔离，支持高效低损耗供电切换。 - LED驱动与背光控制：在小型显示模组（如OLED/LCD背光）中驱动多路LED，利用双MOSFET结构实现独立调光或PWM亮度控制。 - 电机/执行器驱动：适用于微型直流电机（如振动马达、镜头对焦马达）或电磁阀的H桥半桥驱动，配合外部控制信号实现正反转或启停。 - 接口保护与电平转换辅助：在I²C、GPIO等数字接口中作上拉/下拉开关或信号通断控制，提升系统鲁棒性。 - 工业与IoT传感器节点：用于低功耗传感模块的外设供电使能（如温湿度传感器、加速度计），支持按需唤醒以延长电池寿命。 该器件工作电压范围宽（2.5V–20V），支持逻辑电平直接驱动（兼容1.8V/3.3V MCU），且LFPAK56封装具备优异热性能与小尺寸（3.3×3.3 mm），特别适合空间受限、高可靠性要求的消费电子与嵌入式应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 20V 3A 6HUSONMOSFET PMDPB70XPE/HUSON6/REEL7 |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 4.2 A |
| Id-连续漏极电流 | - 4.2 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PMDPB70XPE,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMDPB70XPE,115 |
| Pd-PowerDissipation | 8330 mW |
| Pd-功率耗散 | 8.33 W |
| Qg-GateCharge | 5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 66 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 66 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1 V |
| 上升时间 | 16 ns |
| 下降时间 | 15 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.25V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 600pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 79 毫欧 @ 2A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-DFN2020（2x2） |
| 其它名称 | 568-10762-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 33 ns |
| 功率-最大值 | 515mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | DFN2020-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
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