ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > 2N7002T-7-F
Datasheet下载- 型号： 2N7002T-7-F
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2N7002T-7-F由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N7002T-7-F价格参考￥0.26-￥0.36。Diodes Inc.2N7002T-7-F封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 60V 115mA（Ta） 150mW（Ta） SOT-523。您可以下载2N7002T-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N7002T-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2N7002T-7-F 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于小信号MOSFET，广泛应用于各类电子设备中。其主要应用场景包括： 1. 开关电路：由于具备快速开关特性，常用于电源管理、LED驱动、继电器控制等低功率开关应用，能高效实现电路的通断控制。 2. 负载切换与电源控制：在便携式设备（如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机）中，用于电池供电系统的负载切换，有效降低功耗，延长续航时间。 3. 逻辑电平转换：在数字系统中，用于不同电压域之间的信号电平转换，例如将3.3V逻辑信号转换为5V信号，确保各模块间正常通信。 4. 电机驱动与小型执行器控制：适用于微型直流电机、电磁阀等低电流负载的驱动控制，常见于家电、玩具和小型自动化设备中。 5. 消费类电子产品：广泛用于电视、机顶盒、路由器、充电器等产品中的电源管理和信号控制部分。 6. 工业与汽车电子辅助电路：在传感器接口、信号调理电路或车载信息娱乐系统中作为驱动元件使用。 该器件采用SOT-23封装，体积小巧，适合高密度贴装；具有低导通电阻、高可靠性及良好热稳定性，性价比高，是中小功率开关应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523MOSFET 60V 150mW |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 115 mA |
| Id-连续漏极电流 | 115 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated 2N7002T-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2N7002T-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 0.15 W |
| Pd-功率耗散 | 150 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.4 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.4 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.5 欧姆 @ 50mA，5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-523 |
| 其它名称 | 2N7002T-FDITR |
| 典型关闭延迟时间 | 11 ns |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-523 |
| 封装/箱体 | SOT-523-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 0.08 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 115mA （Ta） |
| 系列 | 2N7002T |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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