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- 型号： NX3008CBKV,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NX3008CBKV,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NX3008CBKV,115价格参考。NXP SemiconductorsNX3008CBKV,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NX3008CBKV,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NX3008CBKV,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NX3008CBKV,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品。该型号的 MOSFET 阵列具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种电子电路设计场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - NX3008CBKV,115 可用于电源管理电路中，例如 DC-DC 转换器、电压调节模块（VRM）以及负载开关。其低导通电阻特性能够减少功率损耗，提高电源转换效率。 - 在电池管理系统（BMS）中，可用于控制电池充放电路径，确保电流流向的安全性和稳定性。 2. 信号切换 - 该器件适用于多路复用器/解复用器（MUX/DEMUX）电路，用于在多个信号源之间进行快速切换。 - 在音频或视频设备中，可用于切换不同的输入或输出通道。 3. 电机驱动 - 在小型电机驱动应用中，如消费电子产品中的风扇、泵或步进电机，NX3008CBKV,115 可作为驱动电路的一部分，提供高效的电流控制能力。 4. 负载控制 - 用于控制各种负载的开启和关闭，例如 LED 照明、加热元件或其他低功率设备。 - 在汽车电子领域，可用于控制车内灯光、电动窗户或座椅调节等负载。 5. 保护电路 - 在过流保护、短路保护或反向电压保护电路中，该 MOSFET 阵列可以快速响应异常情况，切断电流以保护下游电路。 6. 通信设备 - 在通信设备中，可用于射频（RF）前端电路的开关控制，例如天线开关或多频段选择开关。 7. 消费类电子产品 - 广泛应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式设备中，用于实现高效的小信号切换和电源管理功能。 总结 NX3008CBKV,115 的高性能和紧凑封装使其成为需要高效、可靠和小型化解决方案的理想选择。它适合于需要低功耗、快速开关和高集成度的应用场合，尤其是在电源管理和信号切换领域表现尤为突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 30V SOT666MOSFET 30/30V, 400/220 MA N/P-CH TRENCH MOSFET |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 400 mA |
| Id-连续漏极电流 | 400 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors NX3008CBKV,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NX3008CBKV,115 |
| Pd-PowerDissipation | 500 mW |
| Pd-功率耗散 | 500 mW |
| Qg-GateCharge | 0.17 nC, 0.23 nC |
| Qg-栅极电荷 | 0.17 nC, 0.23 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1 Ohms, 2.8 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1 Ohms, 2.8 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V, - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 0.9 V, - 0.9 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 0.9 V, - 0.9 V |
| 上升时间 | 30 ns, 11 ns |
| 下降时间 | 19 ns, 38 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.68nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.4 欧姆 @ 350mA，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 568-10496-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 69 ns, 65 ns |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-666-6 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 310 mS, 160 mS |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 400mA， 220mA |
| 通道模式 | Enhancement |
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